Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 9

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161. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
     Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics BUZ171
     SIPMOS-Leistungstransistor
162. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
     Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics BUZ71
     N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET

163. ZVN2106A — Datasheet Diodes
     Einzelne FETs, MOSFETs Diodes ZVN2106A
     N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
164. ZVP2106ASTZ — Datasheet Diodes
     Einzelne FETs, MOSFETs Diodes ZVP2106A ZVP2106ASTZ
     P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
165. FDD6637 — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild FDD6637
     35-V-P-Kanal-PowerTrench-MOSFET
166. FDN337N — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild FDN337N
     

     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
167. FDV303N — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild FDV303N
     

     Digital-FET, N-Kanal
168. FDV303N — Datasheet ON Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor FDV303N
     N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...
169. PMF170XP,115 — Datasheet Nexperia
     Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia PMF170XP PMF170XP,115
     

     20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.
170. SI7611DN-T1-GE3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay Si7611DN SI7611DN-T1-GE3
     P-Kanal 40-V (DS) MOSFET
171. FDN302P — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild FDN302P
     

     Teilenummer : FDN302P Hersteller: Fairchild Beschreibung: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Datenblatt herunterladen Docket: FDN302P Oktober 2000 FDN302P P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET Allgemeine Beschreibung Spezifikationen: ID des ...
172. SI2369DS-T1-BE3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SI2369DS SI2369DS-T1-BE3
     

     P-Kanal 30 V (DS) MOSFET
173. EPC2302 — Datasheet Efficient Power Conversion
     Einzelne FETs, MOSFETs Efficient Power Conversion EPC2302
     

     Leistungstransistor im Verbesserungsmodus VDS, 100 V RDS(ein), 1,8 mΩ ID, 101 A Gepulste ID, 408 A
174. NDB706AL — Datasheet National Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs National Semiconductor NDB706AL
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
175. NDB706BL — Datasheet National Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs National Semiconductor NDB706BL
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
176. NDP706BL — Datasheet National Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs National Semiconductor NDP706BL
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
177. NDP706AL — Datasheet National Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs National Semiconductor NDP706AL
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
178. IRLZ44PBF — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLZ44 IRLZ44PBF
     

     Leistungs-MOSFET
179. 2N7075 — Datasheet Temic
     Einzelne FETs, MOSFETs Temic 2N7075
     N-Kanal Enhancement-Mode Transistor
180. SI2337DS-T1-E3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SI2337DS SI2337DS-T1-E3
     

     P-Kanal 80 V (DS) MOSFET