Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 9
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, ...
- N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFET 100 V, 75 A, 8 mΩ
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
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- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anhebungsmodus-Feldeffekttransistor 100 V, 170 mA, 6 Ω Dieser N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wird unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieses Produkt wurde entwickelt, um den ...
- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
- 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
- TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
N-Kanal 30 V (DS) MOSFET- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- N-Kanal 150-V (DS) 175 °C MOSFET
- N-Kanal 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...