Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics

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1. STD4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50Z
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
2. STP4NK50ZFP — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4NK50ZFP
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET

3. STP4NK50Z — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4NK50Z
   N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
4. STD4NK50ZT4 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50ZT4
   N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
5. STD4NK50Z-1 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD4NK50Z-1
   N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
6. STP75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP75NF75
   N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
7. STP75NF75FP — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP75NF75FP
   N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
8. STB75NF75 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB75NF75
   N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
9. BUZ171 — Datasheet STMicroelectronics
   MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics BUZ171
   SIPMOS-Leistungstransistor
10. BUZ71 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics BUZ71
    N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET
11. STL200N45LF7 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STL200N45LF7
    N-Kanal 45 V, 1,4 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET im PowerFLAT 5x6 Gehäuse Alle Features Unter den niedrigsten R DS(on) auf dem Markt Ausgezeichneter FoM (Zahl des Verdienstes) Niedriges C rss /C iss- Verhältnis für EMI-Immunität Hohe ...
12. STP9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
13. STF9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STF9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220FP Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
14. STB9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STB9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im D2PAK-Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
15. STW9NK90Z — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STW9NK90Z
    N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-247 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
16. STP4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STP4N150
    N-Kanal 1500 V, Typ 5 Ohm, 4 A PowerMESH Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
17. STFW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STFW4N150
    N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-3PF Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
18. STW4N150 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STW4N150
    N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-247 Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
19. STD30NF06 — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD30NF06
    N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE-DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND UND ROLLE (SUFFIX „T4“) ...
20. STD30NF06L — Datasheet STMicroelectronics
    MOSFET-Einzeltransistoren STMicroelectronics STD30NF06L
    N-Kanal 60 V - 0,022 Ω - 35 A DPAK / IPAK STripFET-Leistungs-MOSFET

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