Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren New Jersey Semiconductor

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "New Jersey Semiconductor"
Suchergebnisse: 20 Ausgabe: 1-20

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  1. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  2. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  1. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  2. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  3. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  4. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  5. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  6. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  7. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  8. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
  9. Trans-MOSFET N-CH 100 V 14A 3-polig (2 + Tab) TO-3
  10. Trans-MOSFET N-CH 100 V 14A 3-polig (2 + Tab) TO-3
  11. Trans-MOSFET N-CH 90 V 0,35 A 3-polig TO-39
  12. Trans-MOSFET N-CH 60 V 0,99 A 3-polig TO-205AD
  13. Trans MOSFET N-CH 35 V 1,4 A 3-polig TO-205AD
  14. Trans-MOSFET P-CH Si 20 V.
  15. Trans-MOSFET N-CH 25 V 0,1 A 4-polig TO-72
  16. Trans-MOSFET N-CH 25 V 0,1 A 4-polig TO-72
  17. Trans-MOSFET N-CH 400 V 23A 3-polig (3 + Tab) TO-247AC
  18. Trans-MOSFET N-CH 400 V 23A 3-polig (3 + Tab) TO-247AD

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