Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — Datenblatt

HerstellerON Semiconductor
SerieMTP3N60E
ArtikelnummerMTP3N60E/D

TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate

Datenblätter

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Sep 27, 2022, Seiten: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
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Preise

Detaillierte Beschreibung

Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten.

Dieses neue Hochenergiegerät bietet auch eine Drain-to-Source-Diode mit schneller Erholungszeit. Die Avalanche-Energiefähigkeit wurde für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Netzteile, PWM-Motorsteuerungen und andere induktive Lasten entwickelt, um das Rätselraten in Designs zu beseitigen, in denen induktive Lasten geschaltet werden, und eine zusätzliche Sicherheitsmarge gegen unerwartete Spannungsspitzen zu bieten.

Modellreihe

Serie: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

Herstellerklassifikation

  • Discretes & Drivers > MOSFETs