Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Efficient Power Conversion
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Efficient Power Conversion"
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EPC2361: 100 V, 101 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus Die außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität und der niedrige Temperaturkoeffizient von Galliumnitrid ermöglichen einen sehr niedrigen RDS(on), während seine laterale ...- 150 V, 329 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
- 200 V, 260 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
Leistungstransistor im Verbesserungsmodus VDS, 100 V RDS(ein), 1,8 mΩ ID, 101 A Gepulste ID, 408 A- 170 V, 102 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
200 V, 54 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 22 mΩ ID, 14 A. Gepulster Ausweis, 54 A.- 200 V, 162 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 8 mΩ ID, 32 A. Gepulster Ausweis, 162 A.
100 V, 37 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus- 350 V, 26 A GaN-Leistungstransistor im Verbesserungsmodus
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