P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
1,2-V-Antrieb Nch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter ...
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...