Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse Merkmale Dynamische dV/dt-Bewertung Wiederholt lawinengefährdet Isoliertes zentrales Montageloch
Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Dynamische dV/dt-Bewertung P-Kanal Schnelles Umschalten
N-Kanal-Verarmungs-MOSFET 250 V 10 Ohm SOT-89 TR | Serie: N-Kanal-Verarmungs-MOSFETs Unsere N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) im Verarmungsmodus nutzen ein proprietäres vertikales DMOS-Verfahren der dritten Generation. Dieses Verfahren ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im DPAK/TO-252-Gehäuse
N-Kanal-MOSFET 650 V, 12 A, 0,65 Ω im TO-220F-Gehäuse- N-Kanal 900 V, 1,1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
Automotive N-Kanal 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P-Kanal 100-V (DS) MOSFET Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 verfügbar. TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Einzelner N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Dieser einzelne N-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung eines fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen ...- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
2,5-V-Drive-Nch-MOSFET (AEC-Q101-qualifiziert) im SOT-323-Gehäuse MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In ...- 2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...