Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiZF300DT SiZF300DT-T1-GE3
Schottky-Dioden & Gleichrichter Vishay SiZF300DT
Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode - Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode
- HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1200 W LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1200 W LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
- HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 500-W-LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 500-W-LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.- 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
- 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, R DS (on) = 16,5 m OHgr;, I D = 30 A, TO-220AB
- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, RDS (on) = 0,035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
- MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...- Siliziumkarbid-MOSFET, Verbesserungsmodus
- N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
- N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...- Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...- Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...