Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- 30V P-Kanal MOSFET
- N-Kanal 45 V, 1,4 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET im PowerFLAT 5x6 Gehäuse Alle Features Unter den niedrigsten R DS(on) auf dem Markt Ausgezeichneter FoM (Zahl des Verdienstes) Niedriges C rss /C iss- Verhältnis für EMI-Immunität Hohe ...
- -100 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
- -100 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
- N-Kanal Enhancement Mode Transistor
- P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
- 30V N-Kanal PowerTrench MOSFET
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220FP Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im D2PAK-Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-247 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 40 M, 0,55 mOhm, 500 Ampere kontinuierlicher MOSFET mit Standardpegel in LFPAK88 unter Verwendung der NextPowerS3-Technologie 500 Ampere Dauerstrom, Standard-Pegel-Gate-Ansteuerung, N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET im LFPAK88-Gehäuse. Die ...
N-Kanal 40 M, 0,55 mOhm, 500 Ampere kontinuierlicher MOSFET mit Standardpegel in LFPAK88 unter Verwendung der NextPowerS3-Technologie 500 Ampere Dauerstrom, Standard-Pegel-Gate-Ansteuerung, N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET im LFPAK88-Gehäuse. Die ...- N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 0,5 mOhm Standardpegel in LFPAK88 Kfz-qualifizierter N-Kanal-MOSFET mit der neuesten Trench 9-Technologie mit niedrigem Ohmschen Übergang, der in einem Kupferclip-LFPAK88-Gehäuse untergebracht ist. Dieses Produkt wurde ...
- N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 0,5 mOhm Standardpegel in LFPAK88 Kfz-qualifizierter N-Kanal-MOSFET mit der neuesten Trench 9-Technologie mit niedrigem Ohmschen Übergang, der in einem Kupferclip-LFPAK88-Gehäuse untergebracht ist. Dieses Produkt wurde ...
- P-Kanal 8-V (DS) 175C-MOSFET
- P-Kanal 8-V (DS) 175C-MOSFET
P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel- 14-stufiger binärer Welligkeitszähler mit Oszillator Der 74HC4060; 74HCT4060 sind Hochgeschwindigkeits-Si-Gate-CMOS-Geräte und Pin-kompatibel mit dem HEF4060.
- P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel