Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. 30V Synchronous N-Channel Enhancement Mode MOSFET This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
  2. 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
  3. HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, R DS (on) = 16,5 m OHgr;, I D = 30 A, TO-220AB
  4. HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, RDS (on) = 0,035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
  1. MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
  2. Datasheet International Rectifier IRF9Z24NPBF
    MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
  3. Siliziumkarbid-MOSFET, Verbesserungsmodus
  4. N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
  5. N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
  6. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  7. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  8. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  9. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  10. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  11. Datasheet Littelfuse IXTY02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  12. DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus
  13. DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus
  14. DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus
  15. Der LND150 ist ein Hochspannungstransistor im N-Kanal-Verarmungsmodus (normalerweise eingeschaltet), der die laterale DMOS-Technologie verwendet
  16. DMOS-FET im N-Kanal-Verarmungsmodus