Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-4-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- 650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse
800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist. Parameter Wert Hersteller Ampleon Typ RF ...- 900-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
N-Kanal 60 V (DS) Schnellschaltender MOSFET im PowerPAK SO-8 Gehäuse- P-Kanal-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal-TrenchMOS-FET mit extrem niedrigem Pegel im SOT23-Gehäuse Extrem stromsparender N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) im Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist ausschließlich für Anwendungen in den ...
55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse- 55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse
P-Kanal 12-V (DS) MOSFET im SOT-23 (TO-236) Gehäuse- 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220F-Gehäuse