Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- 1,0 A, 20 V, Schottky-Leistungsgleichrichter, Oberflächenmontage Der Schottky Powermite verwendet das Schottky-Barrieren-Prinzip mit einem Barrierenmetall und einer epitaxialen Konstruktion, die einen optimalen Kompromiss zwischen Durchlassspannung ...
- TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
N-Kanal 30 V (DS) MOSFET- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
30-V-N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET 8-VSON-CLIP -55 bis 150- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- N-Kanal 150-V (DS) 175 °C MOSFET
- N-Kanal 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...