Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- P-Kanal-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal-Leistungs-MOSFET
N-Kanal-TrenchMOS-FET mit extrem niedrigem Pegel im SOT23-Gehäuse Extrem stromsparender N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) im Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist ausschließlich für Anwendungen in den ...
55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse- 55-V-N-Kanal-IR-MOSFET im SOT-223-Gehäuse
- P-Kanal 12-V (DS) MOSFET im SOT-23 (TO-236) Gehäuse
- 60V N-Kanal-MOSFET im SOT-23-Gehäuse
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220F-Gehäuse
Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse- 30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse
- PowerTrench Single P-Channel MOSFET im SOT-23-Gehäuse Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird in einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse
100 V, 231 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor- N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
- 240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package Obsolet