Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse- PowerTrench Single P-Channel MOSFET im SOT-23-Gehäuse Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird in einem fortschrittlichen Power-Trench-Verfahren hergestellt, das speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und gleichzeitig ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse
100 V, 231 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor- N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package Obsolet- Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das ...
40V N-Kanal-MOSFET im TO252-Gehäuse Der AOD240 nutzt Trench-MOSFET-Technologie, die speziell für effizientes Hochfrequenz-Schalten optimiert wurde. Leistungsverluste werden durch eine extrem niedrige Kombination aus RDS(ON) und Crss minimiert. ...
P-Kanal 30-V (DS) MOSFET im SOP8-Gehäuse Es besitzt eine hohe Strombelastbarkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignet sich besonders für Leistungsschaltungen und Schaltungssteuerungen.- Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET im SOP8-Gehäuse Dieser MOSFET besitzt eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von -30 V und eine Drainstrombelastbarkeit von bis zu -9 A. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands und seiner hohen Strombelastbarkeit ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...