Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. Dualer 40-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Es ist für AEC-Q101 qualifiziert und wird von einem PPAP unterstützt.
  2. Dualer 40-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Es ist für AEC-Q101 qualifiziert und wird von einem PPAP unterstützt.
  3. Datasheet Vishay SiZ240DT-T1-GE3
    Duale N-Kanal 40 V (DS) MOSFETs
  4. Duale N-Kanal 40 V (DS) MOSFETs
  1. Dual P-Channel PowerTrench MOSFET, 1,8 V spezifiziert, -20 V, -2,3 A, 115 mΩ
  2. Datasheet Toshiba 2SK1828
    Kleinsignal-MOSFET
  3. Dual P-Channel PowerTrench MOSFET, 1,8 V spezifiziert, -20 V, -2,3 A, 115 mΩ
  4. Datasheet Toshiba SSM3H137TU
    Kleine MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand
  5. Datasheet Toshiba 2SJ305
    Kleinsignal-MOSFET
  6. Datasheet Toshiba 2SJ168
    Kleinsignal-MOSFET
  7. Dualer N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
  8. Datasheet Vishay SiSS94DN-T1-GE3
    N-Kanal 200 V (DS) MOSFET
  9. N-Kanal 200 V (DS) MOSFET
  10. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2207
    200 V, 54 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 22 mΩ ID, 14 A. Gepulster Ausweis, 54 A.
  11. Datasheet Efficient Power Conversion EPC2215
    200 V, 162 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus VDS, 200 V. RDS (ein), 8 mΩ ID, 32 A. Gepulster Ausweis, 162 A.
  12. 30 V N-Kanal-MOSFET
  13. Datasheet Toshiba XPN7R104NC
    Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
  14. Datasheet Toshiba XPN6R706NC
    Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
  15. Datasheet Toshiba XPN3R804NC
    Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
  16. Datasheet Toshiba XPN12006NC
    Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)