Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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P-Kanal 30-V (DS) MOSFET im SOP8-Gehäuse Es besitzt eine hohe Strombelastbarkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignet sich besonders für Leistungsschaltungen und Schaltungssteuerungen.- Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET im SOP8-Gehäuse Dieser MOSFET besitzt eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von -30 V und eine Drainstrombelastbarkeit von bis zu -9 A. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands und seiner hohen Strombelastbarkeit ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse Merkmale Dynamische dV/dt-Bewertung Wiederholt lawinengefährdet Isoliertes zentrales Montageloch
- Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Dynamische dV/dt-Bewertung P-Kanal Schnelles Umschalten
N-Kanal-Verarmungs-MOSFET 250 V 10 Ohm SOT-89 TR | Serie: N-Kanal-Verarmungs-MOSFETs Unsere N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) im Verarmungsmodus nutzen ein proprietäres vertikales DMOS-Verfahren der dritten Generation. Dieses Verfahren ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im DPAK/TO-252-Gehäuse
N-Kanal-MOSFET 650 V, 12 A, 0,65 Ω im TO-220F-Gehäuse- N-Kanal 900 V, 1,1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
Automotive N-Kanal 80 V (DS) 175 °C MOSFET- P-Kanal 100-V (DS) MOSFET Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 verfügbar. TrenchFET-Leistungs-MOSFET
Einzelner N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Dieser einzelne N-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung eines fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen ...
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.