Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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Kfz-P-Kanal 80 V (DS) 175 ° C MOSFET- Kfz-P-Kanal 80 V (DS) 175 ° C MOSFET
- N-Kanal 1500 V, Typ 5 Ohm, 4 A PowerMESH Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-3PF Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm bis -3Pfm Nicht empfohlen für neue Designs MOSFETs, die zum Schalten (Motorantrieb usw.) und für Lastschalteranwendungen geeignet sind. Geringer Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hohe Robustheit.
- Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm bis -3Pfm Nicht empfohlen für neue Designs MOSFETs, die zum Schalten (Motorantrieb usw.) und für Lastschalteranwendungen geeignet sind. Geringer Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hohe Robustheit.
- N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-247 Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
- 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
- 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
- 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
- 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
- N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND ROLLE (SUFFIX “T4 \”) ...
- N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE-DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND UND ROLLE (SUFFIX „T4“) ...
- N-Kanal 60 V - 0,022 Ω - 35 A DPAK / IPAK STripFET-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 60 V, 0,022 Ohm typ., 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
- N-Kanal in Automobilqualität, 60 V, Typ 22 mOhm, 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features AEC-Q101 qualifiziert Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
- 1,2 V Drive Pch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter Typen, ...
1,2 V Drive Pch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter Typen, ...
Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 13 mOhm Logikpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses ...