Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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P-channel power MOSFET in PG-TDSON-8 package- 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS in PG-TDSON-8 package Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).
240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
N-Channel Power MOSFET 500V, 5.5A, 2Ω in ATPAK package Obsolet
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das ...
40V N-Kanal-MOSFET im TO252-Gehäuse Der AOD240 nutzt Trench-MOSFET-Technologie, die speziell für effizientes Hochfrequenz-Schalten optimiert wurde. Leistungsverluste werden durch eine extrem niedrige Kombination aus RDS(ON) und Crss minimiert. ...
P-Kanal 30-V (DS) MOSFET im SOP8-Gehäuse Es besitzt eine hohe Strombelastbarkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignet sich besonders für Leistungsschaltungen und Schaltungssteuerungen.- Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET im SOP8-Gehäuse Dieser MOSFET besitzt eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von -30 V und eine Drainstrombelastbarkeit von bis zu -9 A. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands und seiner hohen Strombelastbarkeit ...
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
- N-Kanal-Anreicherungstransistoren im 4-Pin-DIP-Gehäuse (ähnlich TO-250)
- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...
- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse Merkmale Dynamische dV/dt-Bewertung Wiederholt lawinengefährdet Isoliertes zentrales Montageloch
- Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Dynamische dV/dt-Bewertung P-Kanal Schnelles Umschalten
N-Kanal-Verarmungs-MOSFET 250 V 10 Ohm SOT-89 TR | Serie: N-Kanal-Verarmungs-MOSFETs Unsere N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) im Verarmungsmodus nutzen ein proprietäres vertikales DMOS-Verfahren der dritten Generation. Dieses Verfahren ...- N-Kanal-MOSFET-Transistor im DPAK/TO-252-Gehäuse
N-Kanal-MOSFET 650 V, 12 A, 0,65 Ω im TO-220F-Gehäuse- N-Kanal 900 V, 1,1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET