Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. Datasheet Vishay SiZF300DT-T1-GE3
    Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode
  2. Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode
  3. HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1200 W LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
  4. Datasheet Ampleon BLF978PU
    HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1200 W LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
  1. HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 500-W-LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
  2. Datasheet Ampleon BLF974PU
    HF / VHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 500-W-LDMOS-Leistungstransistor für Rundfunkanwendungen und industrielle Anwendungen im HF- bis 700-MHz-Band.
  3. 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
  4. 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
  5. HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, R DS (on) = 16,5 m OHgr;, I D = 30 A, TO-220AB
  6. HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, RDS (on) = 0,035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
  7. MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
  8. Datasheet International Rectifier IRF9Z24NPBF
    MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
  9. Siliziumkarbid-MOSFET, Verbesserungsmodus
  10. N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
  11. N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
  12. Datasheet IXYS IXTP02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  13. Datasheet Littelfuse IXTP02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  14. Datasheet Littelfuse IXTU02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  15. Datasheet IXYS IXTU02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
  16. Datasheet IXYS IXTY02N50D
    Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...