Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFP22N60K
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay IRFP22N60K
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFP22N60KLeistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
- MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor MTP33N10E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP33N10ELeistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor MTP20N20E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP20N20ELeistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - N- und P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - MOSFET-Einzeltransistoren ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- Feldeffekttransistor
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
- N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSTET
- N-Kanal-MOSFET-Transistor
- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...