Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-3-Gehäuse
1,2-V-Antrieb Nch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter ...
- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
- -55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse
-55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse- -55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse
- -55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1000-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Doherty-Senderanwendungen mit asymmetrischem Rundfunk, der mit einer durchschnittlichen DVB-T-Leistung von 180 W arbeitet. Die hervorragende Robustheit dieses Geräts macht ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1000-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für asymmetrische Doherty-Senderanwendungen mit einer DVB-T-Durchschnittsleistung von 180 W. Dank seiner hervorragenden Robustheit eignet sich dieser Baustein ideal für digitale ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...
- 30V P-Kanal MOSFET Der AO3401 verwendet fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 2,5 V zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich für den Einsatz ...
- P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET Dieser P-Kanal-MOSFET mit 1,8 V verwendet Fairchilds Niederspannungs-PowerTrench-Prozess. Er wurde für Anwendungen zur Batteriestromverwaltung optimiert.