Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
  2. N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
  1. N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
  2. N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
  1. Datasheet Vishay SiHF640
    Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  2. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  3. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  4. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  5. Datasheet Vishay IRF640PbF
    Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  6. Datasheet Vishay IRF640
    Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
  7. 150 V, 329 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
  8. 200 V, 260 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
  9. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein ...
  10. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein ...
  11. Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus Hochstrom
  12. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650
    10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom
  13. Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 SL
    10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom
  14. Datasheet Central Semiconductor CDM22011-600LRFP SL
    Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus - UltraMOS
  15. Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus - UltraMOS
  16. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...