Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO-247-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) basieren auf einer völlig neuen Technologie, die im Vergleich zu Silizium überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...- 1200-V-N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) basieren auf einer völlig neuen Technologie, die im Vergleich zu Silizium überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- 1200-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO-247-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) basieren auf einer völlig neuen Technologie, die im Vergleich zu Silizium überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- 1200 V, 40 Ohm, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse Der SiC-MOSFET der Serie JX-MT3 im TO-247-3L-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht kompakte Designs mit ...
- 1200 V, 100 A, 16 Ohm, N-Kanal, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse Der SiC-MOSFET der Serie JX-MT3 im TO-247-3L-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht ...
- 1700 V, 40 A, 72 mΩ, N-Kanal, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse Der SiC-MOSFET der Serie JX-MT3 im TO-247-3L-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht ...
- 1200 V, 60 A, 45 mΩ, N-Kanal, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3-Gehäuse Die SiC-MOSFET-Serie JX-MT3 im TO-247-3-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht kompakte ...
- 1700V SiC N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der niedrige ...
- 1700 V, 40 A, 72 mΩ, N-Kanal, Siliziumkarbid-MOSFET im TO-247-3L-Gehäuse Die SiC-MOSFET-Serie JX-MT3 im TO-247-3L-Gehäuse gewährleistet einen stabilen Hochtemperaturbetrieb für leistungsdichte und energiekritische Systeme und ermöglicht kompakte ...
- 3300V SiC N-Kanal-MOSFET im TO-247-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) basieren auf einer völlig neuen Technologie, die im Vergleich zu Silizium überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-4-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...- 650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- 650-V-N-Kanal-MOSFET im TO247-3-Gehäuse
800 W intern vorabgestimmter GaN-HEMT im SOT-1214B-Gehäuse Der CLF09H4LS800P ist ein intern vorabgestimmter 800-W-RF-GaN-HEMT-Leistungstransistor, der bei Frequenzen von 902 MHz bis 928 MHz einsetzbar ist. Parameter Wert Hersteller Ampleon Typ RF ...- 900-V-N-Kanal-SiC-MOSFET im TO247-3-Gehäuse Siliziumkarbid-MOSFETs (SiC-MOSFETs) nutzen eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus gewährleisten der ...
- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
- Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
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