Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. Datasheet Vishay SQJA81EP-T1_GE3
    Kfz-P-Kanal 80 V (DS) 175 ° C MOSFET
  2. Kfz-P-Kanal 80 V (DS) 175 ° C MOSFET
  3. N-Kanal 1500 V, Typ 5 Ohm, 4 A PowerMESH Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
  4. N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-3PF Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
  1. Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm bis -3Pfm Nicht empfohlen für neue Designs MOSFETs, die zum Schalten (Motorantrieb usw.) und für Lastschalteranwendungen geeignet sind. Geringer Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hohe Robustheit.
  2. Nch Single Power Mosfet 1500V 2A Mohm bis -3Pfm Nicht empfohlen für neue Designs MOSFETs, die zum Schalten (Motorantrieb usw.) und für Lastschalteranwendungen geeignet sind. Geringer Einschaltwiderstand, schnelles Schalten und hohe Robustheit.
  3. N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-247 Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
  4. 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
  5. 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
  6. 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
  7. 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
  8. 1700V Siliziumkarbid-MOSFETs Wolfspeed 1700V SiC MOSFETs ermöglichen kleinere und effizientere Leistungsumwandlungssysteme. Im Vergleich zu Lösungen auf Siliziumbasis ermöglicht die Wolfspeed-Siliziumkarbidtechnologie eine höhere ...
  9. N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND ROLLE (SUFFIX “T4 \”) ...
  10. N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE-DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND UND ROLLE (SUFFIX „T4“) ...
  11. N-Kanal 60 V - 0,022 Ω - 35 A DPAK / IPAK STripFET-Leistungs-MOSFET
  12. N-Kanal 60 V, 0,022 Ohm typ., 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
  13. N-Kanal in Automobilqualität, 60 V, Typ 22 mOhm, 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features AEC-Q101 qualifiziert Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
  14. 1,2 V Drive Pch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter Typen, ...
  15. Datasheet Rohm RZM001P02T2L
    1,2 V Drive Pch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter Typen, ...
  16. Datasheet Nexperia BUK9V13-40HX
    Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 13 mOhm Logikpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses ...