Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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  1. Datasheet Diodes DMP10H400SK3-13
    P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
  2. P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
  1. Datasheet Ampleon CLP24H4S30PZ
    HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  2. Datasheet Ampleon CLP24H4S30PXY
    HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  3. HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  4. Datasheet Ampleon CLF24H4LS300PJ
    HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  5. HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  6. Datasheet Ampleon CLF24H4LS300PU
    HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
  7. Datasheet Rohm RV2C010UNT2L
    20 V 1 A Nch Leistungs-MOSFET Das ultrakleine Paket (Größe 1006) RV2C010UN ist für tragbare Geräte geeignet.
  8. 20 V 1 A Nch Leistungs-MOSFET Das ultrakleine Paket (Größe 1006) RV2C010UN ist für tragbare Geräte geeignet.
  9. Datasheet Rohm RTR020P02TL
    2,5-V-Treiber-P-Kanal-MOSFET Die Produkteinstellung (EOL) wurde angekündigt.
  10. 2,5-V-Treiber-P-Kanal-MOSFET Die Produkteinstellung (EOL) wurde angekündigt.
  11. N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-3-Gehäuse
  12. Datasheet Rohm RUC002N05
    1,2-V-Antrieb Nch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter ...
  13. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  14. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  15. Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
  16. Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
  17. P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
  18. P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...