Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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Einzelner N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET 30 V, 5,0 A, 40 mΩ Dieser einzelne N-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung eines fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses entwickelt, um den RDS(on) @VGS=2,5 V auf einem speziellen ...
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
- 2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
2,5-V-Drive-Nch-MOSFET (AEC-Q101-qualifiziert) im SOT-323-Gehäuse MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In ...- 2,5-V-Drive-Nch-MOSFET (AEC-Q101-qualifiziert) im SOT-323-Gehäuse MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In ...
- 2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...