Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
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Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- 150 V, 329 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
- 200 V, 260 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein ...
- Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus Hochstrom
10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom- 10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom
Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus - UltraMOS- Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus - UltraMOS
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...