N-Kanal-Logikpegel-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von ON ...
Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -20 V, -2 A, 70 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Widerstand im eingeschalteten Zustand ...
N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Diese N-Kanal-Logikpegel-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess von ON Semiconductor Semiconductor hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den ...
N-Kanal-Logikpegel-Anhebungsmodus-Feldeffekttransistor 100 V, 170 mA, 6 Ω Dieser N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wird unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieses Produkt wurde entwickelt, um den ...
TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...
TinyLogic ULP-A Universell konfigurierbare Logikgatter mit 2 Eingängen Die NC7SV57 und NC7SV58 sind universell konfigurierbare Logikgatter mit zwei Eingängen aus der Ultra-Low Power (ULP-A)-Serie von ON Semiconductor von TinyLogic. ULP-A ist ideal ...
Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 15,6 mΩ, TO247-4L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen ...
Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 12 mΩ, TO247−4L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der ...
Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK-7L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen ...
Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 12 mΩ, D2PAK-7L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der ...
Leistungs-MOSFET -500V -2A 6 Ohm einzelner P-Kanal TO-220 Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein fortschrittliches Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der Zeit zu ...