Datasheet IXYS IXTP44P15T — Datenblatt

HerstellerIXYS
SerieIXTP44P15T
ArtikelnummerIXTP44P15T

TrenchP-Leistungs-MOSFETs

Datenblätter

Datasheet IXTA44P15T, IXTP44P15T, IXTQ44P15T, IXTH44P15T
PDF, 250 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Nov 15, 2022, Seiten: 8
TrenchP Power MOSFETs
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, die üblicherweise bei der Verwendung eines N-Kanal-MOSFET erforderlich sind.

Dies ermöglicht es Designern, die Anzahl der Komponenten zu reduzieren, wodurch die Einfachheit der Ansteuerschaltung und die Gesamtkostenstruktur der Komponenten verbessert werden.

Darüber hinaus ermöglicht es den Entwurf einer komplementären Leistungsausgangsstufe mit einem entsprechenden N-Kanal-MOSFET für eine Leistungshalbbrückenstufe gepaart mit einer einfachen Treiberschaltung.

Andere Optionen

IXTA44P15T IXTH44P15T IXTQ44P15T

Herstellerklassifikation

  • Power Semiconductors > Discrete MOSFETs > P-Channel > Trench Gate