Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Motorola

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Motorola"
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  1. TMOS-E-FET-Leistungsfeldeffekttransistor - Silizium-Gate im N-Kanal-Verbesserungsmodus - TMOS-Leistungs-FET 2,0 Ampere 500 Volt RDS (ein) = 3,6 Ohm - Gehäuse 221A - 06, Typ 5, TO - 220AB Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein erweitertes ...
  2. Siliziumtor im N-Kanal-Verbesserungsmodus, veraltet - kein Ersatzteil Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein fortschrittliches Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der ...
  1. Datasheet Motorola MTD20P06HDL
    Silizium-Gate im P-Kanal-Verbesserungsmodus TMOS Power FET Logic Level 15 Ampere 60 Volt RDS (ein) = 175 MΩ Dieser fortschrittliche HDTMOS E-FET mit hoher Zelldichte ist so ausgelegt, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie ...