Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren International Rectifier
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "International Rectifier"
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AUIRL7732S2TR IFR3205 IRF1010N IRF150 IRF3205 IRF5305 IRF5305PBF IRF5305S/L IRF5305S/LPBF IRF530N IRF530NPBF IRF530NS, IRF530NL IRF530NSPBF, IRF530NLPBF IRF540NL IRF540NS IRF6665 IRF6775M IRF7341 IRF7342 IRF7389 IRF740 IRF7425 IRF7832 IRF7832TRPBF IRF9130 IRF9510 IRF9510S IRF9530N IRF9Z24N IRFB/S/SL7730PbF IRFB/S/SL7734PbF IRFB/S/SL7787PbF IRFF9120 IRFH5406PBF IRFH7787PbF IRFR/U7740PbF IRFR/U7746PbF IRFS/SL7762PbF IRFS7730-7PPbF IRFS7734-7PPbF IRFZ44N IRFZ46N IRL3103PbF IRL3705N IRL540NPBF IRLR024N IRLU024N IRLZ34NSuchergebnisse: 1,463 Ausgabe: 1-20
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- HEXFET-Leistungs-MOSFET Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, ...
- 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
- -12A, -100V, 0,30 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET
- -100 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
- Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand
- 150 V einkanaliger StrongIRFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MZ-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung ...
- 100 V Single N-Channel StrongIRFET LeistungsmOSFET in einem DirectFET SH-Gehäuse für Audio Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET
55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
MOSFET, N, 100 V, 36 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 30 A. Aktuelle ID max: 36 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 100 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: ...- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, R DS (on) = 16,5 m OHgr;, I D = 30 A, TO-220AB
- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, RDS (on) = 0,035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
- MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
- 55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
- Leistungs-MOSFET Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblich-industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 Watt bevorzugt. Fortschrittliche Prozesstechnologie Extrem niedriger Einschaltwiderstand Dynamische dv / dt ...
100 V, P-KANAL-MOSFET TO-205AF (TO-39)- HEXFET-Leistungs-MOSFET
- HEXFET-Leistungs-MOSFET
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