P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...
N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Dieser N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung eines fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu ...
Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...