Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren - 8

Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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  1. P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...
  2. N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Dieser N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung eines fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu ...
  1. Datasheet Toshiba TK12A60U
    Leistungs-MOSFET (N-Kanal 500 V VDSS ≤ 700 V)
  2. Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
  3. Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
  4. Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
  5. 30 V N-Kanal-MOSFET
  6. SIPMOS-Leistungstransistor
  7. N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET
  8. N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
  9. N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
  10. N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
  11. P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
  12. P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
  13. 35-V-P-Kanal-PowerTrench-MOSFET
  14. Datasheet Fairchild FDN337N
    N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
  15. Datasheet Fairchild FDV303N-MR
    Digital-FET, N-Kanal
  16. Digital-FET, N-Kanal
  17. Datasheet Fairchild FDV303N
    Digital-FET, N-Kanal
  18. N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...