Datasheet International Rectifier IRF1010N — Datenblatt

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Detaillierte Beschreibung

Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen.

Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFETs bekannt sind, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Das TO-220-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis etwa 50 Watt bevorzugt. Der geringe Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220 tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Herstellerklassifikation

• Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Single