N-Kanal-Logikpegel-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von ON ...
Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -20 V, -2 A, 70 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Widerstand im eingeschalteten Zustand ...
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Diese N-Kanal-Logikpegel-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess von ON Semiconductor Semiconductor hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den ...