Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 7
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...- -60V-100V Kleinsignal-MOSFET Paket: SOT-23
- P-Kanal, POWERTRENCH, Logikpegel-MOSFET Dieser 60-V-P-Kanal-MOSFET verwendet den Hochspannungs-POWERTRENCH-Prozess von onsemi. Es wurde für Power-Management-Anwendungen optimiert.
P-Kanal 30 V (DS) MOSFET TrenchFET-Leistungs-MOSFET- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- 150 V, 329 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
- 200 V, 260 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor