Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 7

• Halbleiter
• Discrets
• Transistoren, Transistor-Arrays & Module
• Einzelne FETs, MOSFETs

Aussicht: Aufführen / Bilder

121. IRFP240 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFP240
     Leistungs-MOSFET
122. TN0200K — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay TN0200K
     N-Kanal 20-V (DS) MOSFETs

123. NDS331N — Datasheet ON Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor NDS331N
     N-Kanal-Logikpegel-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von ON ...
124. FDN340P — Datasheet ON Semiconductor
     Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor FDN340P
     Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -20 V, -2 A, 70 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Widerstand im eingeschalteten Zustand ...
125. VP0550N3-G — Datasheet Microchip
     Einzelne FETs, MOSFETs Microchip VP0550 VP0550N3-G
     Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
126. VP0550N3-G-P013 — Datasheet Microchip
     Einzelne FETs, MOSFETs Microchip VP0550 VP0550N3-G-P013
     Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
127. VP0550 — Datasheet Microchip
     Einzelne FETs, MOSFETs Microchip VP0550
     Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
128. SiHLU024 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiHLU024
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
129. SiHLU024-GE3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiHLU024 SiHLU024-GE3
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
130. SiHLR024TRL-GE3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiHLR024 SiHLR024TRL-GE3
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
131. SiHLR024 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiHLR024
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
132. SiHLR024TR-GE3 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiHLR024 SiHLR024TR-GE3
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
133. IRLU024PbF — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLU024 IRLU024PbF
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
134. IRLU024 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLU024
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
135. IRLR024 — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLR024
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
136. IRLR024TRLPbF — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLR024 IRLR024TRLPbF
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
137. IRLR024TRPbF — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLR024 IRLR024TRPbF
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
138. IRLR024PbF — Datasheet Vishay
     Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRLR024 IRLR024PbF
     Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
139. BSS123 — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild BSS123
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
140. BSS100 — Datasheet Fairchild
     Einzelne FETs, MOSFETs Fairchild BSS100
     N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...