Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 7
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...
- 150 V, 329 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus
- 200 V, 260 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das 4-polige DIP-Gehäuse ist ein ...
10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom
Durchgangsloch-MOSFET-N-Kanal-Verbesserungsmodus - UltraMOS- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, 11 A, 60-100 V Bei diesen Geräten handelt es sich um n-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Anreicherungsmodus, die speziell für Hochgeschwindigkeitsanwendungen entwickelt wurden, z. B. Schaltnetzteile, Wandler, AC- und ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, ...
- N-Kanal-UltraFET-Leistungs-MOSFET 100 V, 75 A, 8 mΩ
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...