Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 7
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller
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- Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von Fairchild hergestellt. Dieser ...
- N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 1,4 A, 160 mΩ Diese N-Kanal-Logikpegel-MOSFETs werden mit dem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess von ON Semiconductor Semiconductor hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den ...
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Betriebswiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten Entwicklern die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für ...- -60V-100V Kleinsignal-MOSFET Paket: SOT-23
- P-Kanal, POWERTRENCH, Logikpegel-MOSFET Dieser 60-V-P-Kanal-MOSFET verwendet den Hochspannungs-POWERTRENCH-Prozess von onsemi. Es wurde für Power-Management-Anwendungen optimiert.