Datasheet STMicroelectronics STD4NK50ZT4 — Datenblatt

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTD4NK50ZT4
ArtikelnummerSTD4NK50ZT4

N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen

Datenblätter

Datasheet STD4NK50Z-1, STD4NK50ZT4
PDF, 585 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 26, 2023, Seiten: 23
N-channel 500 V, 2.2 Ω typ., 3 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK and DPAK packages
Auszug aus dem Dokument

Preise

Detaillierte Beschreibung

Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics entwickelt wurden, einer Optimierung des bewährten PowerMESH.

Zusätzlich zu einer erheblichen Reduzierung des Einschaltwiderstands sind diese Geräte darauf ausgelegt, ein hohes Maß an dV/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.

Andere Optionen

STD4NK50Z-1

Herstellerklassifikation

  • Power Transistors > Power MOSFETs