Datasheet STMicroelectronics STD4NK50Z-1 — Datenblatt
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | STD4NK50Z-1 |
| Artikelnummer | STD4NK50Z-1 |
N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen
Datenblätter
Datasheet STD4NK50Z-1, STD4NK50ZT4
PDF, 585 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: May 26, 2023, Seiten: 23
N-channel 500 V, 2.2 Ω typ., 3 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK and DPAK packages
N-channel 500 V, 2.2 Ω typ., 3 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK and DPAK packages
Auszug aus dem Dokument
Preise
Detaillierte Beschreibung
Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics entwickelt wurden, einer Optimierung des bewährten PowerMESH.
Zusätzlich zu einer erheblichen Reduzierung des Einschaltwiderstands sind diese Geräte darauf ausgelegt, ein hohes Maß an dV/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen zu gewährleisten.
Andere Optionen
Herstellerklassifikation
- Power Transistors > Power MOSFETs
Andere Namen:
STD4NK50Z1, STD4NK50Z 1