Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren - 9
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
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- N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...
- N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...
20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.
- P-Kanal 40-V (DS) MOSFET
- P-Kanal 40-V (DS) MOSFET
Teilenummer : FDN302P Hersteller: Fairchild Beschreibung: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Datenblatt herunterladen Docket: FDN302P Oktober 2000 FDN302P P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET Allgemeine Beschreibung Spezifikationen: ID des ...
P-Kanal 30 V (DS) MOSFET- P-Kanal 30 V (DS) MOSFET
- P-Kanal 30 V (DS) MOSFET
Leistungstransistor im Verbesserungsmodus VDS, 100 V RDS(ein), 1,8 mΩ ID, 101 A Gepulste ID, 408 A- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
- Leistungs-MOSFET
- N-Kanal Enhancement-Mode Transistor