Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Toshiba
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Toshiba"
Hersteller
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2SJ168 2SJ305 2SK1828 2SK2543 SSM10N961L SSM3H137TU SSM3K357R SSM6N357R SSM6N813R TK040N65Z TK12A60U TK1K2A60F TK1K9A60F TK2P90E TK3R1P04PL TK4R4P06PL TK650A60F TK65S04N1L TK6R7P06PL TK750A60F TPH1R104PB TPH1R204PB TPH3R70APL TPHR7904PB TPN1200APL TW070J120B XPN12006NC XPN3R804NC XPN6R706NC XPN7R104NCSuchergebnisse: 143 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
- Feldeffekttransistor
- Silizium-N-Kanal-MOSFET
Leistungs-MOSFET (N-Kanal 500 V VDSS ≤ 700 V)
Leistungs-SiC-MOSFETs
Kleinsignal-MOSFET
Kleine MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand- Kleinsignal-MOSFET
- Kleinsignal-MOSFET
Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
Leistungs-MOSFET (N-Kanal 700 V VDSS)- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
- Kleinsignal-MOSFET 2 in 1
- Leistungs-MOSFET (N-Kanal 500 V VDSS ≤ 700 V)
- Kleine MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Kleine MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand
- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
- Leistungs-MOSFET (N-Kanal einfach 30 V VDSS ≤ 60 V)
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