Datasheet Toshiba SSM3K357R — Datenblatt

HerstellerToshiba
SerieSSM3K357R

Kleine MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand

Datenblätter

SSM3K357R Data sheet/English
PDF, 461 Kb, Datei hochgeladen: Jun 18, 2018
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Verpackung

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
N123
Manufacture Package CodeSOT-23F

Parameter

Parameters / ModelsSSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
AEC-Q101Conform(*)
Application ScopeRelay Drivers
Assembly basesThailand
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=3V], Ω2.4
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=5V], Ω1.8
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=3V], Ω1.2
Drain-Source on-resistance (Typ.) [|VGS|=5V], Ω0.8
FeaturesRelay Drivers
Gate threshold voltage (Max), V2.0
Gate threshold voltage (Min), V1.3
Generationπ-MOSⅤ
Input capacitance (Typ.), pF43
Internal ConnectionSingle
PolarityN-ch + Active Clamp Zener
Total gate charge (Typ.), nC1.5

Öko-Plan

SSM3K357RSSM3K357R,LFSSM3K357R,LXGF
RoHSCompliant

Modellreihe

Herstellerklassifikation

  • MOSFETs