Datasheet Toshiba TW070J120B — Datenblatt

HerstellerToshiba
SerieTW070J120B
ArtikelnummerTW070J120B
Datasheet Toshiba TW070J120B

Leistungs-SiC-MOSFETs

Datenblätter

Datasheet TW070J120B
PDF, 518 Kb, Sprache: en, Datei veröffentlicht: Aug, 2020, Seiten: 10
MOSFETs Silicon Carbide N-Channel MOS
Auszug aus dem Dokument

Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Verpackung

Pins3
Manufacture Package CodeTO-3P(N)
MountingThrough Hole
Width×Length×Height15.5×20.0×4.5 mm

Parameter

Assembly basesJapan
Drain current36 A
Drain-Source on-resistance (Max) [|VGS|=20V]90 mΩ
Drain-Source voltage1200 V
Input capacitance (Typ.)1680 pF
JEITASC-65
PolarityN-ch

Öko-Plan

RoHSCompliant

Herstellerklassifikation