Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 8
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedSuchergebnisse: 6,998 Ausgabe: 141-160
Aussicht: Aufführen / Bilder
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- TrenchP-Leistungs-MOSFETs Trench-P-Kanal-MOSFETs eignen sich gut für High-Side-Schaltanwendungen, bei denen eine einfache, auf Masse bezogene Treiberschaltung verwendet werden kann, wodurch zusätzliche High-Side-Treiberschaltungen vermieden werden, ...
- N-Kanal-Logikpegel-Anhebungsmodus-Feldeffekttransistor 100 V, 170 mA, 6 Ω Dieser N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wird unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieses Produkt wurde entwickelt, um den ...
- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
- 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
- TMOS E-FET Hochenergie-Leistungs-FET N-Kanal Enhancement-Mode Silicon Gate Dieser fortschrittliche Hochspannungs-TMOS-E-FET ist darauf ausgelegt, im Avalanche-Modus hoher Energie standzuhalten und effizient zu schalten. Dieses neue Hochenergiegerät ...
N-Kanal 30 V (DS) MOSFET- 30V Single N-Channel Power MOSFET in a I-Pak package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The ...
- 30 V einkanaliger N-Kanal-HEXFET-LeistungsmOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- P-Kanal-Leistungs-MOSFET Bei diesen Produkten handelt es sich um P-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die im MegaFET-Prozess hergestellt werden. Dieser Prozess, der Strukturgrößen verwendet, die denen von LSI-Schaltungen nahekommen, bietet eine optimale ...
- N-Kanal 150-V (DS) 175 °C MOSFET
- N-Kanal 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P-Kanal PowerTrench MOSFET, 30 V, -13 A, 9 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde speziell entwickelt, um den Gesamtwirkungsgrad von DC/DC-Wandlern zu verbessern, die entweder synchron oder konventionell schaltende PWM-Controller und Batterieladegeräte ...
- N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Dieser N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung eines fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu ...
Leistungs-MOSFET (N-Kanal 500 V VDSS ≤ 700 V)- Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
- 30 V N-Kanal-MOSFET