Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650 — Datenblatt

HerstellerCentral Semiconductor
SerieCDM22010-650
ArtikelnummerCDM22010-650
Datasheet Central Semiconductor CDM22010-650

10 A, 650 V Durchgangsloch-MOSFET N-Kanal-Anreicherungsmodus, hoher Strom

Datenblätter

Datasheet CDM22010-650
PDF, 887 Kb, Sprache: en, Datei hochgeladen: Apr 10, 2022, Seiten: 4
SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET 10 AMP, 650 VOLT
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Spice Models

Spice Model CDM22010-650
LIB, 1 Kb, Revision: A, Datei veröffentlicht: Aug 18, 2014
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Preise

Status

Lifecycle StatusActive (Recommended for new designs)

Parameter

@ID5A
@VGS10V
DescriptionN-Channel Enhancement Mode High Current
ECCN CodeEAR99
HTS Code8541.29.0080
ID max10A
Marking CodeCEN N
CDM10
-650 D/C
MountingThrough-Hole
PD max2W
PackageTO-220
PolarityN-CH
Qg typ20nc
VDS max650V
VGS max30V
rDS(ON) max

Modellreihe

Serie: CDM22010-650 (2)

Herstellerklassifikation

  • MOSFETs & JFETs > MOSFETs

Andere Namen:

CDM22010650, CDM22010 650