Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Vishay - 4
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Vishay"
Hersteller
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2N7000 2N7002 BS107KL BS170 BS250 BS250KL IRF510 IRF520 IRF530 IRF530S, SiHF530S IRF540 IRF640 IRF820 IRF840L IRF9510S IRF9540 IRF9610 IRFD010 IRFD012 IRFD024 IRFD110 IRFD9020 IRFP064 IRFP140 IRFP22N60K IRFP240 IRFP31N50L, SiHFP31N50L IRFP450 IRFP450N IRFP460 IRFP9140 IRFP9240 IRFR120 IRFR9220 IRFR9310 IRFU120 IRFU9220 IRFU9310 IRFZ24 IRFZ44 IRL520, SiHL520 IRL540 IRLD024 IRLL110 IRLR024 IRLU024 IRLZ44 Si1012CR Si1012R Si1012X Si1308EDL SI1470DH SI2308DS Si2312CDS Si2333DS Si2334DS SI2337DS Si2342DS SI2369DS Si2399DS Si3430DV Si3457CDV Si4401BDY Si4401DDY SI4401DY Si4403CDY Si4421DY Si4435BDY Si4435DDY Si4435DY-REVA Si4435FDY Si4464DY Si4466DY SI4480EY Si4490DY SI7489DP Si7611DN Si7850DP Si8410DB Si8416DB Si8466EDB Si8802DB Si9407AEY Si9424BDY SiHF520 SiHF530 SiHF640 SiHF820 SiHF840L SIHF9510S SiHF9540 SiHFP450 SiHFP450N SiHFR120 SiHFR9220 SiHFR9310 SiHFU12 SiHFU9220 SiHFU9310 SiHFZ44 SiHH068N60E SiHH070N60EF SiHLD024 SiHLL110 SiHLR024 SiHLU024 SiR846DP SiRA20DP SiRA99DP SiSF20DN SiSS22DN SiSS94DN SiZ240DT SiZF300DT SQD50N06-07L SQD50N06-09L SQJ211ELP SQJ264EP SQJ457EP SQJA80EP SQJA81EP SUB15P01-52 SUD19N20-90 SUD25N15-52 SUD50N04-8m8P SUM85N03-06P SUP15P01-52 SUP90P06-09L TN0200K TN2404K TN2404KL TP0610K TP0610KL TP0610L TP0610T VN0610L, VN10KLS, VN2222L VP0610L VP0610T VQ1000J VQ1000PSuchergebnisse: 1,121 Ausgabe: 61-80
Aussicht: Aufführen / Bilder
N-Kanal 200 V (DS) MOSFET
P-Kanal 30 V (DS) MOSFET
- Einzelne FETs, MOSFETs Vishay SiZF300DT SiZF300DT-T1-GE3
Schottky-Dioden & Gleichrichter Vishay SiZF300DT
Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode - P-Kanal 60-V (DS) MOSFET
- P-Kanal 20-V (DS) MOSFET
Common - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET Eigenschaften TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET Sehr geringer Widerstand von Quelle zu Quelle Integrierte Common-Drain-n-Kanal-MOSFETs in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
N-Kanal 20 V (DS) MOSFET TrenchFET® Leistungs-MOSFET 100% Rg getestet
Kfz-P-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET TrenchFET® Leistungs-MOSFET AEC-Q101 qualifiziert 100% Rg und UIS getestet Paket: PowerPAK SO-8L
N-Kanal 60 V (DS) MOSFET TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET Sehr niedriger RDS - Qg-Gütezahl (FOM) Auf das niedrigste RDS eingestellt - Qoss FOM
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
- Kfz-N-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET 100% Rg und UIS getestet AEC-Q101 Qualifiziertd TrenchFET-Leistungs-MOSFET Paket mit geringem Wärmewiderstand TO-252
Kfz-N-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition TrenchFET® Power MOSFET Paket mit geringem Wärmewiderstand TO-252- N-Kanal 80-V (DS) MOSFET
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
P-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET- N-Kanal-60-V (DS) -MOSFET-Transistoren im Erweiterungsmodus
- N-Kanal-60-V (DS) -MOSFET-Transistoren im Erweiterungsmodus
- Enhancement-Mode-MOSFET-Transistoren
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