Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Vishay - 3
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Vishay"
Hersteller
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Aussicht: Aufführen / Bilder
P-Kanal 100 V (DS) 175 ° C MOSFET für Kraftfahrzeuge
Leistungs-MOSFET der EF-Serie mit schneller Körperdiode
Automotive Dual N-Channel 60 V (DS) 175 ° C MOSFETs
Duale N-Kanal 40 V (DS) MOSFETs- N-Kanal 200 V (DS) MOSFET
P-Kanal 30 V (DS) MOSFET- MOSFET-Einzeltransistoren Vishay SiZF300DT SiZF300DT-T1-GE3
Schottky-Dioden & Gleichrichter Vishay SiZF300DT
Dualer N-Kanal 30 V (DS) MOSFET mit Schottky Diode - P-Kanal 60-V (DS) MOSFET
- P-Kanal 20-V (DS) MOSFET
Common - Drain Dual N-Kanal 60 V (S1-S2) MOSFET Eigenschaften TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET Sehr geringer Widerstand von Quelle zu Quelle Integrierte Common-Drain-n-Kanal-MOSFETs in einem kompakten und thermisch verbesserten Gehäuse
N-Kanal 20 V (DS) MOSFET TrenchFET® Leistungs-MOSFET 100% Rg getestet
Kfz-P-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET TrenchFET® Leistungs-MOSFET AEC-Q101 qualifiziert 100% Rg und UIS getestet Paket: PowerPAK SO-8L
N-Kanal 60 V (DS) MOSFET TrenchFET® Gen IV Leistungs-MOSFET Sehr niedriger RDS - Qg-Gütezahl (FOM) Auf das niedrigste RDS eingestellt - Qoss FOM
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
Kfz-N-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET 100% Rg und UIS getestet AEC-Q101 Qualifiziertd TrenchFET-Leistungs-MOSFET Paket mit geringem Wärmewiderstand TO-252- Kfz-N-Kanal 60 V (DS) 175 ° C MOSFET Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition TrenchFET® Power MOSFET Paket mit geringem Wärmewiderstand TO-252
- N-Kanal 80-V (DS) MOSFET
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
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