Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 10
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- N-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET 30 V, 2,7 A, 46 mΩ Dieser N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung eines fortschrittlichen PowerTrench-Prozesses hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu ...
Leistungs-MOSFET (N-Kanal 500 V VDSS ≤ 700 V)
- Kleinsignal-MOSFET 200 V, 250 mA, 10 Ohm, einzelner N-Kanal, TO-92-Logikpegel Dieser MOSFET ist für Hochspannungs-Hochgeschwindigkeits-Schaltanwendungen wie Leitungstreiber, Relaistreiber, CMOS-Logik, Mikroprozessor oder ...
- 30 V N-Kanal-MOSFET
- SIPMOS-Leistungstransistor
- N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET
- N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
- P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
- 35-V-P-Kanal-PowerTrench-MOSFET
N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor- Digital-FET, N-Kanal
- N-Kanal-Digital-FET 25 V, 0,68 A, 0,45 Ω Diese N-Kanal-Feldeffekttransistoren vom Anreicherungstyp werden unter Verwendung einer proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser Prozess mit sehr hoher Dichte ist darauf ...
20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.- P-Kanal 40-V (DS) MOSFET
Teilenummer : FDN302P Hersteller: Fairchild Beschreibung: MOSFET, P, SMD, SSOT-3 Datenblatt herunterladen Docket: FDN302P Oktober 2000 FDN302P P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET Allgemeine Beschreibung Spezifikationen: ID des ...
P-Kanal 30 V (DS) MOSFET
Leistungstransistor im Verbesserungsmodus VDS, 100 V RDS(ein), 1,8 mΩ ID, 101 A Gepulste ID, 408 A- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- N-Kanal-Logikpegel-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor