Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 4
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...
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- HEXFET-Leistungs-MOSFET
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
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- Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
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- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
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- Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
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N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Anreicherungsmodus auf Logikebene in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist nur für den Einsatz in Computer-, Kommunikations-, Verbraucher- und ...- N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Anreicherungsmodus auf Logikebene in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist nur für den Einsatz in Computer-, Kommunikations-, Verbraucher- und ...