Leistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ...
Leistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ...
400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
HEMT mit extrem niedrigem Rauschen Der FHX35LG ist ein High Electron Mobility Transistor (HEMT) für allgemeine, rauscharme und hochverstärkende Verstärker im Frequenzbereich von 2-18 GHz. Dieses Gerät ist in kostengünstigen, parasitenarmen, ...
Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...