Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Vishay

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Vishay"
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  1. Datasheet Vishay SiHFP450N
    Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
  2. Datasheet Vishay IRFP450N
    Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse
  1. Leistungs-MOSFET
  2. Leistungs-MOSFET
  3. Leistungs-MOSFET
  4. Leistungs-MOSFET
  5. Datasheet Vishay Si7850DP-T1-E3
    N-Kanal 60 V (DS) Schnellschaltender MOSFET im PowerPAK SO-8 Gehäuse
  6. P-Kanal-Leistungs-MOSFET
  7. N-Kanal-Leistungs-MOSFET
  8. Datasheet Vishay Si2333DS-T1-GE3
    P-Kanal 12-V (DS) MOSFET im SOT-23 (TO-236) Gehäuse
  9. Datasheet Vishay IRFP064PBF
    Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Die Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Das ...
  10. Datasheet Vishay IRFP460PBF
    Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse Merkmale Dynamische dV/dt-Bewertung Wiederholt lawinengefährdet Isoliertes zentrales Montageloch
  11. Datasheet Vishay IRF9610PBF
    Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Dynamische dV/dt-Bewertung P-Kanal Schnelles Umschalten
  12. Datasheet Vishay IRFP22N60KPBF
    Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
  13. Datasheet Vishay SQJA80EP-T1_BE3
    Automotive N-Kanal 80 V (DS) 175 °C MOSFET
  14. Datasheet Vishay SI7489DP-T1-GE3
    P-Kanal 100-V (DS) MOSFET Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 verfügbar. TrenchFET-Leistungs-MOSFET
  15. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz.
  16. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
  17. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
  18. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...

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