Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "STMicroelectronics"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon WolfspeedSerie
BUZ171 BUZ71 IRF530 STB11NM60T4 STB19NF20 STB75NF75 STB9NK90Z STD12NE06 STD19NF20 STD30NF06 STD30NF06L STD30NF06LAG STD30NF06LT4 STD30PF03 STD4NK50Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZT4 STF19NF20 STF9NK90Z STFW4N150 STL200N45LF7 STL42P6LLF6 STP11NM60 STP19NF20 STP4N150 STP4NK50Z STP4NK50ZFP STP75NF75 STP75NF75FP STP9NK90Z STW4N150 STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW9NK90Z STW9NK9SZ STWA88N65M5Suchergebnisse: 727 Ausgabe: 1-20
Aussicht: Aufführen / Bilder
N-Kanal 900 V, 1,1 Ω, 8 A, TO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247 Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET- Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STF19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STF19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
- Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STD19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STD19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STB19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STB19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STP19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STP19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-KANAL 500 V – 2,4 Ω – 3 A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK Zener-geschützter SuperMESH-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
- N-Kanal 500 V, 2,2 Ω typ., 3 A SuperMESH-Leistungs-MOSFETs in IPAK- und DPAK-Gehäusen Bei diesen Hochspannungsgeräten handelt es sich um Zener-geschützte N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mithilfe der SuperMESH-Technologie von STMicroelectronics ...
- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
- N-Kanal 75 V, 0,0095 Ohm typ., 80 A STripFET II Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Leistungs-MOSFET-Serie, die mit dem einzigartigen STripFET-Prozess von STMicroelectronics realisiert wurde, wurde speziell entwickelt, um Eingangskapazität und ...
- SIPMOS-Leistungstransistor
- N-Kanal 50 V -0,085 Ω -17 A TO-220 STripFET Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 45 V, 1,4 mOhm typ., 120 A STripFET F7 Power MOSFET im PowerFLAT 5x6 Gehäuse Alle Features Unter den niedrigsten R DS(on) auf dem Markt Ausgezeichneter FoM (Zahl des Verdienstes) Niedriges C rss /C iss- Verhältnis für EMI-Immunität Hohe ...
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-220FP Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im D2PAK-Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-247 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
Sortiere nach: Relevanz / Datum