Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics - 2
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "STMicroelectronics"
Hersteller
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BUZ171 BUZ71 IRF530 STB11NM60T4 STB19NF20 STB75NF75 STB9NK90Z STD12NE06 STD19NF20 STD30NF06 STD30NF06L STD30NF06LAG STD30NF06LT4 STD30PF03 STD4NK50Z STD4NK50Z-1 STD4NK50ZT4 STF19NF20 STF9NK90Z STFW4N150 STL200N45LF7 STL42P6LLF6 STP11NM60 STP19NF20 STP4N150 STP4NK50Z STP4NK50ZFP STP75NF75 STP75NF75FP STP9NK90Z STW4N150 STW88N65M5 STW88N65M5-4 STW9NK90Z STW9NK9SZ STWA88N65M5Suchergebnisse: 731 Ausgabe: 21-40
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- N-Kanal 900 V, 1,1 Ohm typ., 8 A SuperMESH Power MOSFET im TO-247 Gehäuse Alle Features Extrem hohe du/dt-Fähigkeit Gate-Ladung minimiert 100% Lawinengetestet
- N-Kanal 1500 V, Typ 5 Ohm, 4 A PowerMESH Power MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-3PF Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- N-Kanal 1500 V, 5 Ohm, 4 A, PowerMESH (TM) -Leistungs-MOSFET in TO-247 Alle Features 100% Lawine getestet Hochgeschwindigkeitsumschaltung Eigenkapazitäten und Qg minimiert Der Kriechweg beträgt 5,4 mm (typ.) Für TO-3PF Vollständig isolierte ...
- N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND ROLLE (SUFFIX “T4 \”) ...
- N-Kanal 60 V - 0,020 Ohm - 28 A - DPAK StripFET (TM) II-LEISTUNGSMOSFET Alle Features TYPISCH R DS (ein) = 0,020 Ω 100% Lawine getestet AUSSERGEWÖHNLICHE dv / dt-FÄHIGKEIT OBERFLÄCHENMONTAGE-DPAK (TO-252) STROMPAKET IN BAND UND ROLLE (SUFFIX „T4“) ...
- N-Kanal 60 V - 0,022 Ω - 35 A DPAK / IPAK STripFET-Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 60 V, 0,022 Ohm typ., 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
- N-Kanal in Automobilqualität, 60 V, Typ 22 mOhm, 35 A STripFET II-Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse Alle Features AEC-Q101 qualifiziert Laufwerk mit niedriger Schwelle Gate-Ladung minimiert
- P-KANAL 30 V - 0,025 Ohm - 24 A STripFET II-LEISTUNGSMOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor zeigt eine extrem hohe Packungsdichte für geringen ...
- P-KANAL 30 V - 0,025 Ohm - 24 A STripFET II-LEISTUNGSMOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor zeigt eine extrem hohe Packungsdichte für geringen ...
- P-KANAL 30 V - 0,025 Ohm - 24 A STripFET II-LEISTUNGSMOSFET Dieser Leistungs-MOSFET ist die neueste Entwicklung des streifenbasierten Prozesses von STMicroelectronics. Der resultierende Transistor zeigt eine extrem hohe Packungsdichte für geringen ...
- N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im D2PAK-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
- N-Kanal 600 V, Typ 0,4 Ohm, 11 A MDmesh-Leistungs-MOSFET im TO-220-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-Leistungs-MOSFETs, die mit der zweiten Generation der MDmesh-Technologie entwickelt wurden. Diese revolutionären Leistungs-MOSFETs ordnen dem ...
- N-Kanal 650 V, Typ 0,024 Ohm, 84 A MDmesh M5-Leistungs-MOSFET in einem TO247-4-Gehäuse Dieses Gerät ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der auf der innovativen vertikalen Prozesstechnologie MDmesh M5 in Kombination mit dem bekannten horizontalen ...
- N-Kanal 650 V, Typ 0,024 Ohm, 84 A MDmesh M5-Leistungs-MOSFET in einem Gehäuse mit langen Leitungen TO-247 Diese Geräte sind N-Kanal-MDmesh-V-Leistungs-MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit ...
- N-Kanal 650 V, 0,024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5-Leistungs-MOSFET im TO-247-Gehäuse Diese Geräte sind N-Kanal-MDmesh-V-Leistungs-MOSFETs, die auf einer innovativen proprietären vertikalen Prozesstechnologie basieren, die mit der bekannten horizontalen ...
- P-Kanal 60 V, Typ 0,023 Ohm, 42 A STripFET F6-LeistungsmOSFET in einem PowerFLAT 5x6-Gehäuse
- N-Kanal 60 V, 0,08 Ω, 12 A, IPAK / DPAK-Leistungs-MOSFET mit Einzelfunktion
N-Kanal 100 V, 0,115 Ohm, 14 A, TO-220, Low Gate Charge STripFETTM II Leistungs-MOSFET
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