Datasheets - MOSFET-Einzeltransistoren Infineon - 5
Unterabschnitt: "MOSFET-Einzeltransistoren"
Hersteller: "Infineon"
Hersteller
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Aussicht: Aufführen / Bilder
30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 27 Ampere und geringem Widerstand- 30 V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und Schottky-Diode in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit 23 Ampere und geringem Widerstand
- 30-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 28 Ampere und geringem Widerstand
- 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET und Schottky-Diode in einem DirectFET-MX-Gehäuse mit einer Nennleistung von 31 Ampere und geringem Widerstand.
30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MT-Gehäuse mit einer Nennleistung von 34 Ampere und geringem Widerstand
30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
30 V Single N-Channel HEXFET LeistungsmOSFET in einem I-Pak Gehäuse- 30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 30 V Single N-Channel HEXFET LeistungsmOSFET in einem I-Pak Gehäuse
OptiMOS 3 Leistungstransistor- OptiMOS 3 Leistungstransistor
30-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-247AC-Gehäuse
Part Number: SPP02N60C3 Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, N-CH, 650 V, 1.8 A, TO-220AB Download Data Sheet Docket: P VDS · · · · · G Tjmax G Specifications: Continuous Drain Current Id: 1.8 A Drain Source Voltage Vds: 650 V Number of ...
Part Number: SPD18P06P G Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, P-CH, 60 V, 18.6 A, TO-252 Download Data Sheet Docket: SPD18P06P G SIPMOS ® Power-Transistor Features · Product Summary Drain source voltage Drain-source on-state resistance ...- Part Number: SPD15P10PL G Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, P-CH, 100 V, 15 A, TO252-3 Download Data Sheet Docket: SPD15P10PL G SIPMOS® Power-Transistor Features · P-Channel · Enhancement mode · logic level · Avalanche rated · Pb-free ...
- Part Number: SPD15P10P G Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, P-CH, 100 V, 15 A, TO252-3 Download Data Sheet Docket: SPD15P10P G SIPMOS Small-Signal-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.24 -15 V A Features · P-Channel · ...
Part Number: SPD08P06P G Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, P-CH, 60 V, 8.83 A, DPAK Download Data Sheet Docket: SPD08P06P G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A Features · P-Channel · Enhancement ...- Part Number: SPD04P10PL G Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, P-CH, 100 V, 4.2 A, TO252-3 Download Data Sheet Docket: SPD04P10PL G SIPMOS Power-Transistor ® Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 850 -4.2 V m A Features · P-Channel · ...
- Part Number: SPD04N60C3 Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, N-CH, 650 V, 4.5 A, DPAK Download Data Sheet Docket: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Specifications: Continuous Drain Current Id: 4.5 A Drain Source Voltage Vds: 650 V MSL: MSL 1 - ...
- Part Number: SPD03N60C3 Manufacturer: Infineon Description: MOSFET, N-CH, 650 V, 3.2 A, DPAK Download Data Sheet Docket: VDS · · · · · · G Tjmax G G G Specifications: Continuous Drain Current Id: 3.2 A Drain Source Voltage Vds: 650 V MSL: MSL 1 - ...
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