Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 5

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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  1. HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
  2. N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
  1. N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
  2. N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
  3. N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
  4. N-Kanal-MOSFET-Transistor Motorantrieb, DC-DC-Wandler, Netzschalter und Magnetantrieb
  5. HEMT mit extrem niedrigem Rauschen Der FHX35LG ist ein High Electron Mobility Transistor (HEMT) für allgemeine, rauscharme und hochverstärkende Verstärker im Frequenzbereich von 2-18 GHz. Dieses Gerät ist in kostengünstigen, parasitenarmen, ...
  6. Leistungs-MOSFET -30V -50A 25 mOhm Einzel-P-Kanal TO-220 Logikpegel Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode ...
  7. HEXFET-Leistungs-MOSFET
  8. Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
  9. Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
  10. Silizium-P-Kanal-MOSFET, Niederfrequenz-Leistungsverstärker, Komplementärpaar mit 2SJ160, 2SJ161 und 2SJ162 Nicht empfohlen für neue Designs
  11. Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
  12. Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
  13. Silizium-P-Kanal-MOSFET Nicht empfohlen für neue Designs
  14. Datasheet Nexperia SI2302DS,215
    N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Anreicherungsmodus auf Logikebene in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist nur für den Einsatz in Computer-, Kommunikations-, Verbraucher- und ...
  15. Datasheet Vishay IRFZ24PbF-BE3
    Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz.
  16. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
  17. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
  18. Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...