Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 5
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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- Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFR9310 IRFR9310PbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
- Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFR9310 IRFR9310TRLPbF-BE3
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFR9310 IRFR9310TRPbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFR9310 IRFR9310TRRPbF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFR9310Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ... - Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
- Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -30 V, -11 A, 14 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen PowerTrench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Widerstand im eingeschalteten ...
EPC2361: 100 V, 101 A GaN-Leistungstransistor im Anreicherungsmodus Die außergewöhnlich hohe Elektronenmobilität und der niedrige Temperaturkoeffizient von Galliumnitrid ermöglichen einen sehr niedrigen RDS(on), während seine laterale ...- N-Kanal 30 V (DS) MOSFET
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.
- Seitlicher N-Kanal-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 2700–2900 MHz, 320 W, 30 V
- Seitlicher N-Kanal-Breitband-HF-Leistungs-MOSFET, 2700–2900 MHz, 320 W, 30 V
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- Silizium-N-Kanal-MOSFET
- POWER MOS V 400V 93A 0,035Ω Power MOS V ist eine neue Generation von Hochspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs im Anreicherungsmodus. Diese neue Technologie minimiert den JFET-Effekt, erhöht die Packungsdichte und verringert den Einschaltwiderstand. ...
- Synchroner Boost-Controller mit niedrigem IQ und Spread Spectrum Der HL8021 ist ein Hochleistungs-Boost-Controller, der eine synchrone N-Kanal-MOSFET-Boost-Leistungsstufe ansteuert und mit einem breiten Eingangsversorgungsbereich von 4,5 V bis 40 V ...
- Synchroner Boost-Controller mit niedrigem IQ und Spread Spectrum Der HL8021 ist ein Hochleistungs-Boost-Controller, der eine synchrone N-Kanal-MOSFET-Boost-Leistungsstufe ansteuert und mit einem breiten Eingangsversorgungsbereich von 4,5 V bis 40 V ...