Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz.
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...
Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen ...