Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 2
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...- P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...
- Einzelne FETs, MOSFETs Vishay IRFP22N60K IRFP22N60KPBF
Transistoren, Transistor-Arrays & Module Vishay IRFP22N60K
Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom - Leistungs-MOSFET im TO-247AC-Gehäuse Merkmale Niedrige Gate-Ladung Qg führt zu einfachen Antriebsanforderungen Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit Vollständig charakterisierte Kapazität sowie Lawinenspannung und -strom
- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP33N10E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP33N10ELeistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP20N20E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP20N20ELeistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - N- und P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- N-Kanal-MOSFET
- Feldeffekttransistor
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
- N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSTET
- N-Kanal-MOSFET-Transistor
- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...