Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK-7L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen ...