Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor - 2

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "ON Semiconductor"
Suchergebnisse: 247 Ausgabe: 21-40

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  1. Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 15,3 mΩ, D2PAK-7L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen ...
  2. Siliziumkarbid-MOSFET, N-Kanal, 650 V, 12 mΩ, D2PAK-7L Der Siliziumkarbid (SiC) -MOSFET verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der ...
  1. Leistungs-MOSFET -500V -2A 6 Ohm einzelner P-Kanal TO-220 Dieser Hochspannungs-MOSFET verwendet ein fortschrittliches Abschlussschema, um eine verbesserte Spannungsblockierungsfähigkeit bereitzustellen, ohne die Leistung im Laufe der Zeit zu ...
  2. Dual P-Channel PowerTrench MOSFET, 1,8 V spezifiziert, -20 V, -2,3 A, 115 mΩ
  3. Dualer N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench-MOSFET 20 V, 7,5 A, 18 mΩ
  4. P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET -20 V, -2,4 A, 52 mΩ
  5. Komplementärer Kleinsignal-MOSFET mit ESD-Schutz 20V
  6. P-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench MOSFET -20 V, -10 A, 13 mΩ
  7. P-Kanal PowerTrench MOSFET, -40 V, -50 A, 12,3 mΩ Dieser P-Kanal-MOSFET wurde unter Verwendung einer proprietären PowerTrench-Technologie hergestellt, um einen niedrigen R DS (Ein) und eine optimierte Bvdss-Fähigkeit bereitzustellen und einen ...
  8. Single P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET -20 V, -1,3 A, 200 mΩ
  9. N-Kanal 2,5 V spezifizierter PowerTrench ™ MOSFET 20 V, 1,7 A, 70 mΩ
  10. Leistungs-MOSFET 60 V, 20 A, Logikpegel, P-Kanal-DPAK
  11. Feldeffekttransistor im P-Kanal-Verbesserungsmodus -60 V, -0,12 A, 10 Ω
  12. N-Kanal-Logikpegel-Leistungs-MOSFET 100 V, 12 A, 200 mΩ
  13. Feldeffekttransistor im N-Kanal-Logikpegelverbesserungsmodus, 50 V, 220 mA
  14. Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verbesserungsmodus 60 V, 0,28 A, 5 Ω
  15. Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verbesserungsmodus 60 V, 0,115 A, 7,5 Ω
  16. Feldeffekttransistor im N-Kanal-Verbesserungsmodus 60 V, 200 mA, 5 Ω
  17. Leistungs-MOSFET, P-Kanal, QFET ® , -60 V, -27 A, 70 mΩ, TO-220
  18. N-Kanal PowerTrench ® MOSFET 60 V, 158 A, 2,5 mΩ

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