Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "International Rectifier"
Suchergebnisse: 1,534 Ausgabe: 1-20

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  1. HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
  2. HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
  1. HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
  2. HEXFET-Leistungs-MOSFET
  3. HEXFET-Leistungs-MOSFET Fortschrittliche HEXFET-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieser Vorteil, ...
  4. 30-V-Einzel-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse Fortschrittliche HEXFET®-Leistungs-MOSFETs von International Rectifier verwenden fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro ...
  5. -12A, -100V, 0,30 Ohm, P-Kanal Leistungs-MOSFET
  6. -100 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
  7. -100 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
  8. Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand
  9. Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand
  10. Ein 40-V-Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität in einem DirectFET-SC-Gehäuse mit einer Nennleistung von 58 Ampere und geringem Widerstand
  11. 150 V einkanaliger StrongIRFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MZ-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung ...
  12. 150 V einkanaliger StrongIRFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MZ-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung ...
  13. 150 V einkanaliger StrongIRFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MZ-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung ...
  14. 150 V einkanaliger StrongIRFET-Leistungs-MOSFET in einem DirectFET-MZ-Gehäuse Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, die Leistung ...
  15. 100 V Single N-Channel StrongIRFET LeistungsmOSFET in einem DirectFET SH-Gehäuse für Audio Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, ...
  16. 100 V Single N-Channel StrongIRFET LeistungsmOSFET in einem DirectFET SH-Gehäuse für Audio Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, ...
  17. 100 V Single N-Channel StrongIRFET LeistungsmOSFET in einem DirectFET SH-Gehäuse für Audio Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, ...
  18. 100 V Single N-Channel StrongIRFET LeistungsmOSFET in einem DirectFET SH-Gehäuse für Audio Die StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige R DS (Ein) und hohe Stromfähigkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, ...

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