Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier - 4
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "International Rectifier"
Hersteller
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AUIRL7732S2TR IFR3205 IRF1010N IRF150 IRF2804 IRF2804L IRF2804S IRF3205 IRF5305 IRF5305PBF IRF5305S/L IRF5305S/LPBF IRF530N IRF530NPBF IRF530NS, IRF530NL IRF530NSPBF, IRF530NLPBF IRF540NL IRF540NS IRF6665 IRF6775M IRF7341 IRF7342 IRF7389 IRF740 IRF7425 IRF7832 IRF7832TRPBF IRF9130 IRF9510 IRF9510S IRF9530N IRF9Z24N IRFB/S/SL7730PbF IRFB/S/SL7734PbF IRFB/S/SL7787PbF IRFF9120 IRFH5406PBF IRFH7787PbF IRFR/U7740PbF IRFR/U7746PbF IRFS/SL7762PbF IRFS7730-7PPbF IRFS7734-7PPbF IRFZ44N IRFZ46N IRL3103PbF IRL3502 IRL3705N IRL540NPBF IRLR024N IRLU024N IRLZ34NSuchergebnisse: 1,534 Ausgabe: 61-80
Aussicht: Aufführen / Bilder
100-V-Einkanal-Hi-Rel-MOSFET in einem TO-204AE-Gehäuse- 100-V-Einkanal-Hi-Rel-MOSFET in einem TO-204AE-Gehäuse
- 100-V-Einkanal-Hi-Rel-MOSFET in einem TO-204AE-Gehäuse
- 100-V-Einkanal-Hi-Rel-MOSFET in einem TO-204AE-Gehäuse
60 V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse- 60 V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem PQFN-Gehäuse
PB-IRF5305. Blei-55-V-Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. Obsolet- PB-IRF5305L. Blei-55-V-Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse. Obsolet
PB-IRF5305S. Blei-55-V-Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Obsolet- PB-IRF5305S. Blei-55-V-Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Obsolet
- PB-IRF5305S. Blei-55-V-Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. Obsolet
- PB-IRF530N. Führender 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. Obsolet
- PB-IRF530NL. Führender 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-262-Gehäuse. Obsolet
- Führender 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. PB-IRF530NS. Obsolet
- Führender 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. PB-IRF530NS. Obsolet
- Führender 100-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. PB-IRF530NS. Obsolet
-55 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse. IRF5305- -55 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. IRF5305S
- -55 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. IRF5305S
- -55 V Ein-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse. IRF5305S
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