Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier - 2
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "International Rectifier"
Hersteller
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AUIRL7732S2TR IFR3205 IRF1010N IRF150 IRF2804 IRF2804L IRF2804S IRF3205 IRF5305 IRF5305PBF IRF5305S/L IRF5305S/LPBF IRF530N IRF530NPBF IRF530NS, IRF530NL IRF530NSPBF, IRF530NLPBF IRF540NL IRF540NS IRF6665 IRF6775M IRF7341 IRF7342 IRF7389 IRF740 IRF7425 IRF7832 IRF7832TRPBF IRF9130 IRF9510 IRF9510S IRF9530N IRF9Z24N IRFB/S/SL7730PbF IRFB/S/SL7734PbF IRFB/S/SL7787PbF IRFF9120 IRFH5406PBF IRFH7787PbF IRFR/U7740PbF IRFR/U7746PbF IRFS/SL7762PbF IRFS7730-7PPbF IRFS7734-7PPbF IRFZ44N IRFZ46N IRL3103PbF IRL3502 IRL3705N IRL540NPBF IRLR024N IRLU024N IRLZ34NSuchergebnisse: 1,534 Ausgabe: 21-40
Aussicht: Aufführen / Bilder
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- HEXFET-Leistungs-MOSFET
- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
MOSFET, N, 100 V, 36 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 30 A. Aktuelle ID max: 36 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 100 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: ...- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, R DS (on) = 16,5 m OHgr;, I D = 30 A, TO-220AB
- HEXFET Power MOSFET, V DSS = 55 V, RDS (on) = 0,035 Ω, I D = 30 A, TO-220AB
- MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
- MOSFET, 55 V, 12 A, TO-220 Spezifikationen: Kontinuierlicher Ablassstrom Id: 12 A. Aktuelle ID max: -12 A. Aktuelle Temperatur: 25 ° C. Drain Source Voltage Vds: 55 V. Volle Leistungstemperatur: 25 ° C. Verbindung zum Gehäusewärmewiderstand A: 3,3 ...
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- 55V Ein-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem I-Pak-Gehäuse
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55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse
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- 55-V-Einkanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem TO-220AB-Gehäuse
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