Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 6
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...- 100-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse Die IR-MOSFET-Familie der Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie ...
- Duales P-Kanal-Matched-Pair-MOSFET-Array Bei den ALD1107/ALD1117 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-P-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen sind. ...
- Vierfach-P-Kanal-Matched-Pair-MOSFET-Array Bei den ALD1107/ALD1117 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-P-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...
- Quad/Dual N-Kanal Matched Pair Mosfet Array Bei den ALD1106/ALD1116 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-N-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...
- Quad/Dual N-Kanal Matched Pair Mosfet Array Bei den ALD1106/ALD1116 handelt es sich um monolithische Quad/Dual-N-Kanal-Anreicherungsmodus-angepasste MOSFET-Transistor-Arrays, die für ein breites Spektrum präziser analoger Anwendungen vorgesehen ...
Leistungs-MOSFET- Leistungs-MOSFET
- N-Kanal 20-V (DS) MOSFETs
- N-Kanal-Logikpegel-Verstärkungsmodus-Feldeffekttransistor 20 V, 1,3 A, 0,21 Ω Diese N-Kanal-Leistungsfeldeffekttransistoren mit Logikpegelanreicherung werden unter Verwendung der proprietären DMOS-Technologie mit hoher Zelldichte von ON ...
- Einzelner P-Kanal-Logikpegel-PowerTrench-MOSFET -20 V, -2 A, 70 mΩ Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit einem fortschrittlichen Power-Trench-Prozess hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten ist, den Widerstand im eingeschalteten Zustand ...
- Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
- Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
- Dieser Enhancement-Mode-Transistor (normalerweise ausgeschaltet) verwendet eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Silizium-Gate-Herstellungsverfahren
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...
- Leistungs-MOSFET Leistungs-MOSFETs der dritten Generation von Vishay bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Einschaltwiderstand und Kosteneffizienz. Der DPAK ist für die ...