Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 3

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41. CPH3362 — Datasheet ON Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362
    Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal
42. CPH3362-TL-W — Datasheet ON Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362
    Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal

43. JCS10N60CT-O-C-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60CT-O-C-N-B
    N-Kanal-MOSFET
44. JCS10N60FT-O-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-O-F-N-B
    N-Kanal-MOSFET
45. JCS10N60FT-R-F-N-B — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T JCS10N60FT-R-F-N-B
    N-Kanal-MOSFET
46. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    N-Kanal-MOSFET
47. JCS10N60T — Datasheet JiLin Sino-Microelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs JiLin Sino-Microelectronics JCS10N60T
    N-Kanal-MOSFET
48. 2SK2543 — Datasheet Toshiba
    Einzelne FETs, MOSFETs Toshiba 2SK2543
    Feldeffekttransistor
49. BS107ARL1G — Datasheet ON Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor BS107A BS107ARL1G
    Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
50. BS107A — Datasheet ON Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor BS107A
    Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
51. ZVN3306A — Datasheet Diodes
    Einzelne FETs, MOSFETs Diodes ZVN3306A
    N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSTET
52. 2SK1940-01 — Datasheet Inchange Semiconductor
    Einzelne FETs, MOSFETs Inchange Semiconductor 2SK1940-01
    N-Kanal-MOSFET-Transistor
53. IRFF330 — Datasheet Infineon
    Einzelne FETs, MOSFETs Infineon IRFF330
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module Infineon IRFF330
    400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
54. IRF2804L — Datasheet International Rectifier
    Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier IRF2804L
    HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
55. IRF2804S — Datasheet International Rectifier
    Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier IRF2804S
    HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
56. IRF2804 — Datasheet International Rectifier
    Einzelne FETs, MOSFETs International Rectifier IRF2804
    HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
57. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STF19NF20
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STF19NF20
    N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
58. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STD19NF20
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STD19NF20
    N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
59. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STB19NF20
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STB19NF20
    N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...
60. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
    Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STP19NF20
    Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STP19NF20
    N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...