Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 3
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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2,5-V-Treiber-P-Kanal-MOSFET Die Produkteinstellung (EOL) wurde angekündigt.- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-3-Gehäuse
1,2-V-Antrieb Nch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter ...- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...
- P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET), -30 V, SOT-23 Infineon Technologies bietet Automobil- und Industrieherstellern ein breites Portfolio an N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die höchste Qualitätsanforderungen in gängigen ...
-55 V einzelner P-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D2-Pak-Gehäuse- UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 1000-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für asymmetrische Doherty-Senderanwendungen mit einer DVB-T-Durchschnittsleistung von 180 W. Dank seiner hervorragenden Robustheit eignet sich dieser Baustein ideal für digitale ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...
UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- 30V P-Kanal MOSFET Der AO3401 verwendet fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 2,5 V zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich für den Einsatz ...
- P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET Dieser P-Kanal-MOSFET mit 1,8 V verwendet Fairchilds Niederspannungs-PowerTrench-Prozess. Er wurde für Anwendungen zur Batteriestromverwaltung optimiert.
P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP33N10E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP33N10ELeistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP20N20E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP20N20ELeistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - N- und P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - N-Kanal-MOSFET
- Feldeffekttransistor
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal