Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 3
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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UHF-Leistungs-LDMOS-Transistor Ein 140-W-LDMOS-HF-Leistungstransistor für Rundfunkübertragungen und industrielle Anwendungen. Der Transistor liefert 140 W von HF bis 1 GHz. Dank seiner hervorragenden Robustheit und Breitbandleistung eignet sich ...- 30V P-Kanal MOSFET Der AO3401 verwendet fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 2,5 V zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich für den Einsatz ...
- P-Kanal 1,8 V spezifizierter PowerTrench MOSFET Dieser P-Kanal-MOSFET mit 1,8 V verwendet Fairchilds Niederspannungs-PowerTrench-Prozess. Er wurde für Anwendungen zur Batteriestromverwaltung optimiert.
P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP33N10E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP33N10ELeistungs-MOSFET 33 Ampere, 100 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor MTP20N20E
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor MTP20N20ELeistungs-MOSFET 20 Ampere, 200 Volt Dieser Leistungs-MOSFET ist so konzipiert, dass er im Lawinen- und Kommutierungsmodus hoher Energie standhält. Das energieeffiziente Design bietet außerdem eine Drain-Source-Diode mit schneller ... - N- und P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor
- Einzelne FETs, MOSFETs ON Semiconductor CPH3362
Transistoren, Transistor-Arrays & Module ON Semiconductor CPH3362Leistungs-MOSFET 100 V, 1,7 Ω, 0,7 A, einzelner P-Kanal - N-Kanal-MOSFET
- Feldeffekttransistor
- Kleinsignal-MOSFET 250 mA, 200 V, N-Kanal
- N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSTET
- N-Kanal-MOSFET-Transistor
- 400-V-N-Kanal-HEXFET-Transistoren Die HEXFET-Technologie ist der Schlüssel zur HiRel-Reihe fortschrittlicher Leistungs-MOSFET-Transistoren von International Rectifier. Die effiziente Geometrie und einzigartige Verarbeitung dieses neuesten „State of ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
- HEXFET-Leistungs-MOSFET Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET-Leistungs-MOSFET nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Einschaltwiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses ...
- Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STF19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STF19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STD19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STD19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ... - Einzelne FETs, MOSFETs STMicroelectronics STB19NF20
Transistoren, Transistor-Arrays & Module STMicroelectronics STB19NF20N-Kanal 200 V, 0,11 Ohm typ., 11 A MESH OVERLAY Power MOSFET im TO-220 Gehäuse Diese Power-MOSFETs werden mit dem konsolidierten MESH-OVERLAY-Prozess von STMicroelectronics auf Streifenlayoutbasis entwickelt. Das Ergebnis ist ein Produkt, dessen ...