Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs - 3
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
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20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
2,5-V-Drive-Nch-MOSFET (AEC-Q101-qualifiziert) im SOT-323-Gehäuse MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In ...- 2,5-V-Treiber-N-Kanal-MOSFET
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...
40 V komplementäre MOSFET-H-Brücke im Anreicherungsmodus Diese komplementäre MOSFET-H-Brücke der neuen Generation verfügt über 2 N- und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse.
N-Kanal 30 V 8 mΩ Logikpegel-MOSFET in LFPAK N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Logikpegel und Anreicherungsmodus in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist für den Einsatz in Industrie- und ...
Kleinsignal-MOSFET, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, komplementär MCPH6 Veraltet MCH6613 ist ein Kleinsignal-MOSFET, 30 V, 0,35 A, 3,7 Ω, -30 V, -0,2 A, 10,4 Ω, komplementärer MCPH6 für allgemeine Schaltgeräteanwendungen.
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 30-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...
HF-Leistungs-GaN-SiC-HEMT 300-W-GaN-SiC-HEMT-Leistungstransistor, optimiert mit bester Dauerstrichleistung (CW) und Effizienz für Anwendungen in den Bereichen Kochen, Industrie, Wissenschaft und Medizin bei Frequenzen von 2400 MHz bis 2500 MHz. Der ...- 20 V 1 A Nch Leistungs-MOSFET Das ultrakleine Paket (Größe 1006) RV2C010UN ist für tragbare Geräte geeignet.
2,5-V-Treiber-P-Kanal-MOSFET Die Produkteinstellung (EOL) wurde angekündigt.- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-3-Gehäuse
1,2-V-Antrieb Nch MOSFET MOSFETs werden durch die Mikroverarbeitungstechnologien, die für mobile Geräte mit geringem Stromverbrauch geeignet sind, als extrem niedrige EIN-Beständigkeit hergestellt. In breiter Palette, einschließlich kompakter ...- The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
- Der IGC033S101 ist ein selbstsperrender 100-V-E-Mode-Leistungstransistor in einem kleinen PQFN-3x5-Gehäuse, der Designs mit hoher Leistungsdichte ermöglicht. Dank seines niedrigen Durchlasswiderstands ist er die ideale Wahl für zuverlässige ...