Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs VBsemi
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "VBsemi"
Hersteller
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P-Kanal 30-V (DS) MOSFET im SOP8-Gehäuse Es besitzt eine hohe Strombelastbarkeit und einen niedrigen Einschaltwiderstand und eignet sich besonders für Leistungsschaltungen und Schaltungssteuerungen.- Hochleistungs-P-Kanal-MOSFET im SOP8-Gehäuse Dieser MOSFET besitzt eine Drain-Source-Spannungsfestigkeit von -30 V und eine Drainstrombelastbarkeit von bis zu -9 A. Dank seines niedrigen Einschaltwiderstands und seiner hohen Strombelastbarkeit ...