Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Nexperia
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Nexperia"
Hersteller
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BSP122 BUK7M3R3-40H BUK7S0R5-40H BUK7V4R2-40H BUK9M3R3-40H BUK9V13-40H GAN063-650WSA PHK12NQ03LT PMF170XP PMN50XP PMV20EN PMV30UN PMV60EN PMV65ENEA PMV65UNEA PMV65XP PMV65XPE PMV65XPEA PSMN0R9-25YLC PSMN0R9-30ULD PSMN1R0-40ULD PSMN3R7-100BSE PSMN9R0-30YL PSMNR55-40SSH SI2302DSSuchergebnisse: 25 Ausgabe: 1-20
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N-Kanal-TrenchMOS-FET mit extrem niedrigem Pegel im SOT23-Gehäuse Extrem stromsparender N-Kanal-Anreicherungs-Feldeffekttransistor (FET) im Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist ausschließlich für Anwendungen in den ...
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 40 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
N-Kanal 30 V 8 mΩ Logikpegel-MOSFET in LFPAK N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Logikpegel und Anreicherungsmodus in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist für den Einsatz in Industrie- und ...- N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Anreicherungsmodus auf Logikebene in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist nur für den Einsatz in Computer-, Kommunikations-, Verbraucher- und ...
20 V, 1 A P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem SOT323 (SC-70)-Kunststoffgehäuse für kleine Oberflächenmontage (SMD) mit Trench-MOSFET-Technologie.
N-Kanal 40 M, 0,55 mOhm, 500 Ampere kontinuierlicher MOSFET mit Standardpegel in LFPAK88 unter Verwendung der NextPowerS3-Technologie 500 Ampere Dauerstrom, Standard-Pegel-Gate-Ansteuerung, N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET im LFPAK88-Gehäuse. Die ...- N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 0,5 mOhm Standardpegel in LFPAK88 Kfz-qualifizierter N-Kanal-MOSFET mit der neuesten Trench 9-Technologie mit niedrigem Ohmschen Übergang, der in einem Kupferclip-LFPAK88-Gehäuse untergebracht ist. Dieses Produkt wurde ...
P-Kanal TrenchMOS FET mit extrem niedrigem Pegel- Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 13 mOhm Logikpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET mit Logikpegel in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses ...
Dualer N-Kanal-MOSFET mit 40 V und 4,2 mOhm Standardpegel in LFPAK56D (Halbbrückenkonfiguration) Dualer N-Kanal-MOSFET auf Standardniveau in einem LFPAK56D-Gehäuse (Halbbrückenkonfiguration) unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. ...- 30 V, N-Kanal-Graben-MOSFET
- N-Kanal-TrenchMOS-Logikpegel-FET Der 8V97003 ist ein Hochleistungs-Breitband-Mikrowellensynthesizer / Phasenregelkreis (PLL), der Ausgangsfrequenzen bis zu 18 GHz von einem integrierten spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) erzeugt, der eine Oktave ...
N-Kanal vertikaler D-MOS-Logikpegel-FET Der 8V97003 ist ein Hochleistungs-Breitband-Mikrowellensynthesizer / Phasenregelkreis (PLL), der Ausgangsfrequenzen bis zu 18 GHz von einem integrierten spannungsgesteuerten Oszillator (VCO) erzeugt, der eine ...- 650 V, 50 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET Der GAN063-650WSA ist ein 650 V, 50 mΩ Galliumnitrid (GaN) FET. Es handelt sich um ein normalerweise ausgeschaltetes Gerät, das die hochmodernen Hochspannungs-GaN-HEMT- und ...
- N-Kanal-MOSFET mit qualifizierter Logikstufe für die Automobilindustrie in einem LFPAK33-Gehäuse unter Verwendung der Trench 9-TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in Hochleistungs-Automobilanwendungen ...
- N-Kanal-MOSFET mit Standardqualifikation für die Automobilindustrie in einem LFPAK33-Gehäuse unter Verwendung der TrenchMOS-Technologie von Trench 9. Dieses Produkt wurde gemäß AEC-Q101 für den Einsatz in Hochleistungs-Automobilanwendungen ...
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