N-Kanal-Verarmungs-MOSFET 250 V 10 Ohm SOT-89 TR | Serie: N-Kanal-Verarmungs-MOSFETs Unsere N-Kanal-Feldeffekttransistoren (FETs) im Verarmungsmodus nutzen ein proprietäres vertikales DMOS-Verfahren der dritten Generation. Dieses Verfahren ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...
Hochspannungs-Leistungs-MOSFET MOSFETs im Verarmungsmodus erfordern im Gegensatz zu MOSFETs vom regulären Anreicherungstyp eine negative Gate-Vorspannung zum Ausschalten. Folglich bleiben sie bei oder über der Gate-Vorspannung Null, haben aber ...