Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Inchange Semiconductor

Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Inchange Semiconductor"
Suchergebnisse: 8 Ausgabe: 1-8

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  1. Datasheet Inchange Semiconductor IIRFZ48Z
    N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
  2. Datasheet Inchange Semiconductor IRFZ48Z
    N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-220-Gehäuse
  1. Datasheet Inchange Semiconductor IXFH26N50
    N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse Merkmale Drainstrom: ID = 26 A bei TC = 25 °C Drain-Source-Spannung: VDSS = 500 V (Min.) Statischer Drain-Source-Einschaltwiderstand: RDS(on) = 0,2 Ω (Max) bei VGS = 10 V 100 % lawinengeprüft Minimale ...
  2. Datasheet Inchange Semiconductor FDD86110
    N-Kanal-MOSFET-Transistor im DPAK/TO-252-Gehäuse
  3. N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-3-Gehäuse
  4. N-Kanal-MOSFET-Transistor
  5. N-Kanal-MOSFET-Transistor Motorantrieb, DC-DC-Wandler, Netzschalter und Magnetantrieb
  6. N-Kanal-Mosfet-Transistor

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