Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Diodes
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Diodes"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics JX Semiconductor Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed YoutaiSerie: "ZVNL110A"
Serie
BSS84 DMHC4035LSDQ DMN2990UFZ DMN3012LEG DMN31D5UFZ DMP10H400SK3 DMP2160UWQ DMP3099L DMP32D9UFZ DMT10H015LPS DMT47M2LDVQ DMTH4008LFDFWQ VN10LP ZVN2106A ZVN2110A ZVN3306A ZVN3306F ZVN4210G ZVN4424A ZVNL110A ZVP2106A ZVP3306A ZXGD3113W6 ZXM61N02F ZXM61P03F ZXMP6A17DN8 ZXMP6A17E6 ZXMP6A17E6Q ZXMP6A17GQ ZXMP6A17K ZXMP6A17N8Suchergebnisse: 3 Ausgabe: 1-3
Aussicht: Aufführen / Bilder
Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse- Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
- Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse