Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Diodes
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Diodes"
Hersteller
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BSS84 DMHC4035LSDQ DMN2990UFZ DMN3012LEG DMN31D5UFZ DMP10H400SK3 DMP2160UWQ DMP3099L DMP32D9UFZ DMT10H015LPS DMT47M2LDVQ DMTH4008LFDFWQ VN10LP ZVN2106A ZVN2110A ZVN3306A ZVN3306F ZVN4210G ZVN4424A ZVNL110A ZVP2106A ZVP3306A ZXGD3113W6 ZXM61N02F ZXM61P03F ZXMP6A17DN8 ZXMP6A17E6 ZXMP6A17E6Q ZXMP6A17GQ ZXMP6A17K ZXMP6A17N8Suchergebnisse: 189 Ausgabe: 1-20
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Vertikaler N-Kanal-Anreicherungs-DMOS-FET im E-Line-Gehäuse
30V P-Kanal-Anreicherungs-MOSFET im SOT23-Gehäuse
- 240V N-Channel Enhancement Mode Vertical DMOSFET in E-Line package
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...
40 V komplementäre MOSFET-H-Brücke im Anreicherungsmodus Diese komplementäre MOSFET-H-Brücke der neuen Generation verfügt über 2 N- und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse.- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser 100-V-P-Kanal-MOSFET der neuen Generation mit Anreicherungsmodus wurde entwickelt, um R DS(on) zu minimieren und dennoch eine hervorragende Schaltleistung zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich ideal für ...
P-KANAL-VERBESSERUNGSMODUS-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um den Durchlasswiderstand (R DS(ON) ) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten, wodurch er ideal für hocheffiziente Energieverwaltungsanwendungen ...- N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSTET
P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen.- P-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET
- N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikal Dmos Fet
- P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
- P-Kanal Enhancement Mode Vertical Dmos Fet
- N-Kanal-MOSFET Diese neue Generation von MOSFETs mit hoher Dichte von Zetex verwendet eine einzigartige Struktur, die die Vorteile eines niedrigen Einschaltwiderstands mit einer schnellen Schaltgeschwindigkeit kombiniert. Dies macht sie ideal für ...
- Dualer 40-V-N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Es ist für AEC-Q101 qualifiziert und wird von einem PPAP unterstützt.
- 30 V synchroner N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET der neuen Generation wurde entwickelt, um den Einschaltwiderstand (RDS (ON)) zu minimieren und dennoch eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten. Dies macht ihn ideal für ...
- N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET
- Synchroner MOSFET-Controller In Sot26
- 100 V N-Kanal-Verbesserungsmodus-MOSFET
- 60 V N-Kanal-Verbesserungsmodus Vertikaler DMOS-FET
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