Datasheets - Einzelne FETs, MOSFETs Alpha & Omega
Unterabschnitt: "Einzelne FETs, MOSFETs"
Hersteller: "Alpha & Omega"
Hersteller
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon WolfspeedSerie
AO3400 AO3400A AO3401 AO3401A AO4468 AOB66518L AOD240 AOD508 AOI508 AOK065V120X2 AON6590 AONE36132 AONS32310 AONX38168 AOTL125A60 AOTL66518 AOTL66608 AOTL66610 AOTL66912Suchergebnisse: 19 Ausgabe: 1-19
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40V N-Kanal-MOSFET im TO252-Gehäuse Der AOD240 nutzt Trench-MOSFET-Technologie, die speziell für effizientes Hochfrequenz-Schalten optimiert wurde. Leistungsverluste werden durch eine extrem niedrige Kombination aus RDS(ON) und Crss minimiert. ...- 30V P-Kanal MOSFET Der AO3401 verwendet fortschrittliche Trench-Technologie, um einen hervorragenden RDS(ON), eine geringe Gate-Ladung und einen Betrieb mit Gate-Spannungen von nur 2,5 V zu gewährleisten. Dieses Gerät eignet sich für den Einsatz ...
- 30 V N-Kanal-MOSFET
- 30 V N-Kanal-MOSFET
- 30 V N-Kanal-MOSFET
- 30V P-Kanal MOSFET
- 150 V N-Kanal AlphaSGT
- 150 V N-Kanal AlphaSGT
- 600 V, aMOS5 TOLL für SMPS mit hoher Dichte und hoher Zuverlässigkeit
- 30 V N-Kanal-MOSFET
- Siliziumkarbid-MOSFET, Verbesserungsmodus
- 100 V N-Kanal AlphaSGT
- 60 V N-Kanal AlphaSGT
- 60 V N-Kanal AlphaSGT
- 25 V Dual Asymmetric N-Channel XSPairFET
- 25 V Dual Asymmetric N-Channel MOSFET
30 V N-Kanal AlphaMOS
30 V N-Kanal AlphaMOS
40 V N-Kanal-MOSFET
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