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- Automobilbereich, 5,5 V bis 20 V Eingangsspannung, 1,5 W geregeltes 5 kV sub RMS /sub isoliertes DC/DC-Modul mit integriertem Transformator Das UCC34141-Q1 ist ein für die Automobilindustrie qualifiziertes, verstärkt isoliertes DC/DC-Leistungsmodul ...
WB-Breitband-HF-Transformatoren
N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse- N-Kanal-MOSFET-Transistor im TO-247-Gehäuse
- Dioden - Gleichrichter Single STMicroelectronics BAT43
Schottky-Dioden & Gleichrichter STMicroelectronics BAT43
30 V, 200 mA Axiale Allzweck-Signal-Schottky-Diode Allzweck-Metall-Silizium-Dioden mit sehr niedriger Einschaltspannung und schnellem Schalten. Diese Geräte verfügen über einen integrierten Schutz gegen zu hohe Spannungen wie elektrostatische ... - Dioden - Gleichrichter Single STMicroelectronics BAT42
Schottky-Dioden & Gleichrichter STMicroelectronics BAT4230 V, 200 mA Axiale Allzweck-Signal-Schottky-Diode Allzweck-Metall-Silizium-Dioden mit sehr niedriger Einschaltspannung und schnellem Schalten. Diese Geräte verfügen über einen integrierten Schutz gegen zu hohe Spannungen wie elektrostatische ... 
TSD-Drehknopfdisplay mit 240x240 Pixeln Auflösung und STM32C091-Mikrocontroller Das TSD TFT-Display mit der Artikelnummer TSS013004A-AD ist ein rundes 1,3-Zoll-IPS-TFT-LCD-Display mit einer Auflösung von 240 x 240 Pixeln und einem ...
100 V, 231 A Anreicherungsmodus-GaN-Leistungstransistor
Diode für 1-mW-Gleichrichter im DFN1212-4-HD-Gehäuse Die NT9003HDAE4S ist eine 1-mW-Gleichrichterdiode, optimiert für Gleichrichterschaltungen in Mikrowellen-WPT-Systemen (Wireless Power Transfer) in den Frequenzbändern 920 MHz, 2,4 GHz und 5,7 ...- Diode für 1-mW-Gleichrichter im DFN1212-4-HD-Gehäuse Die NT9002HDAE4S ist eine 1-mW-Gleichrichterdiode, optimiert für Gleichrichterschaltungen in Mikrowellen-WPT-Systemen (Wireless Power Transfer) im 920-MHz-, 2,4-GHz- und 5,7-GHz-Band. Sie ...
- Diode für 1-W-Gleichrichter im DFN1212-4-HD-Gehäuse Die NT9001HDAE4S ist eine 1-W-Gleichrichterdiode, optimiert für Gleichrichterschaltungen in Mikrowellen-WPT-Systemen (Wireless Power Transfer) im 920-MHz-, 2,4-GHz- und 5,7-GHz-Band. Sie zeichnet ...
- Diode für 1-W-Gleichrichter im DFN1212-4-HD-Gehäuse Die NT9000HDAE4S ist eine 1-W-Gleichrichterdiode, optimiert für Gleichrichterschaltungen in Mikrowellen-WPT-Systemen (Wireless Power Transfer) im 920-MHz-, 2,4-GHz- und 5,7-GHz-Band. Sie zeichnet ...
Niedriger I sub D /sub -Wert , dualer, zweiphasiger synchroner Abwärtsregler für GaN-FETs im 40-poligen QFN-Gehäuse (6 mm x 6 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7890 ist ein leistungsstarker, zweistufiger DC/DC-Schaltregler, der alle ...
100-V-Synchron-Boost-Controller mit niedrigem I/ Q-Wert für GaN-FETs im 28-poligen QFN-Gehäuse (4 mm x 5 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7893 ist ein leistungsstarker DC/DC-Aufwärts-Schaltregler, der alle ...- Niedriger I sub Q /sub -Wert , dualer, zweiphasiger synchroner Boost-Controller für GaN-FETs im 40-poligen QFN-Gehäuse (6 mm x 6 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7892 ist ein leistungsstarker Dual-Boost-DC/DC-Schaltregler, der alle ...
- 100 V, niedriger I/ Q-Wert , synchroner Abwärtsregler für GaN-FETs im 28-poligen QFN-Gehäuse (4 mm x 5 mm, Kunststoffseite benetzbar) Der LTC7891 ist ein leistungsstarker Abwärts-DC/DC-Schaltregler, der alle N-Kanal-Synchron-GaN-FET-Leistungsstufen ...
N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET 30 V im SOT-23-Gehäuse
NTC-Thermistoren zur Temperaturmessung in Scheibenform, 4,5 mm Durchmesser x 4,5 mm Breite Bedrahtete NTC-Thermistoren, Anschlussabstand 2,5 mm
7,4 A, 400 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse- 7,4 A, 300 V Durchgangsloch-SCR im TO-64-Gehäuse