Datasheets - 10
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SMD 0201, NTC-Thermistoren in Handelsqualität SMD-Chip-Thermistor der Größe 0201 (M0603) mit negativem Temperaturkoeffizienten (TCR) und mattverzinnten (Sn) Anschlüssen. Das Gerät hat keine Markierung. Erhältlich als 8 mm breites Lochpapierband auf ...
Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
- Dual-NPN, 40 V, 0,2 A, SOT363
Schutz-IC für Stereo-Leistungsverstärker SIP-8-Paket UTC UPC1237 ist ein integrierter Halbleiterschaltkreis zum Schutz von Stereo-Leistungsverstärkern und Lautsprechern.
Schutzschaltung für OCL-Leistungsverstärker und Lautsprecher im SIP-9-PA-Paket- Schutz-IC für Stereo-Leistungsverstärker Der NTE7100 ist ein monolithischer integrierter Schaltkreis in einem 8-poligen SIP-Gehäuse, der zum Schutz von Stereo-Leistungsverstärkern und Lautsprechern entwickelt wurde.
Kleinsignal-Schaltdioden im DO−204AH (DO−35)-Gehäuse- Kleinsignal-Schaltdioden im DO−204AH (DO−35)-Gehäuse
- Kleinsignal-Schaltdioden im DO−204AH (DO−35)-Gehäuse
- Kleinsignal-Schaltdioden im DO−204AH (DO−35)-Gehäuse
Taktpuffer mit 8 Ausgängen und extrem geringem additiven Jitter SKY53580 ist ein stromsparender DC-bis-3,1-GHz-Takt-Fanuot-Puffer mit extrem geringem additiven Jitter (35 fs RMS), der über zwei Eingänge in jedem Format und 8 Differenzausgänge ...
Taktpuffer mit 4 Ausgängen und extrem geringem additiven Jitter SKY53540 ist ein stromsparender DC-bis-3,1-GHz-Takt-Fanuot-Puffer mit extrem geringem additiven Jitter (35 fs RMS), der über zwei Eingänge in jedem Format und 4 Differenzausgänge ...- Taktpuffer mit 10 Ausgängen und extrem geringem additiven Jitter SKY53510 ist ein stromsparender DC-bis-3,1-GHz-Takt-Fanuot-Puffer mit extrem geringem additiven Jitter (35 fs RMS), der über zwei Eingänge in jedem Format und 10 Differenzausgänge ...
- 40 V +175 °C N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET Dieser MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Automobilanwendungen zu erfüllen. Er ist nach AEC-Q101 qualifiziert, wird durch ein PPAP unterstützt und eignet sich ideal für den ...
40 V komplementäre MOSFET-H-Brücke im Anreicherungsmodus Diese komplementäre MOSFET-H-Brücke der neuen Generation verfügt über 2 N- und 2 P-Kanäle in einem SOIC-Gehäuse.- Zünd-IGBT, 500 V, 27 A, 1,3 V, 300 mJ, DPAK EcoSPARK II, N-Kanal-Zündung 500-V-N-Kanal-Zündungs-IGBT für Zündspulentreiberschaltungen und Coil-on-Plug-Anwendungen in der Automobilindustrie.
Miniatur-Zwischenleistungsrelais- Spannung 20 V – 100 V, 3,0 Ampere Oberflächenmontierte Schottky-Barrieregleichrichter
N-Kanal 30 V 8 mΩ Logikpegel-MOSFET in LFPAK N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) mit Logikpegel und Anreicherungsmodus in einem Kunststoffgehäuse mit TrenchMOS-Technologie. Dieses Produkt ist für den Einsatz in Industrie- und ...- 1-Kanal-Transistor-Ausgangstyp Fotokoppler