Datasheets - 5
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50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
- 50-W-Leistungswiderstand in Dickschichttechnologie Merkmale 50 W bei 50 °C Gehäusetemperatur Kühlkörper montiert Direktmontage der Keramik auf dem Kühlkörper Breiter Widerstandsbereich: 0,010 Ω bis 450 kΩ
Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im LGA8L-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53464 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der hohe ...- Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im LGA8L-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53464 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der hohe ...
- Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im TSSOP8-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53466 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der ...
Omnipolarer magnetischer Winkelsensor im TSSOP8-Gehäuse Der omnipolare magnetische Winkelsensor LF53466 ist ein hochpräziser magnetischer Winkelmesssensor von 0 bis 360 Grad in X- und Y-Achsenrichtung mit Kompensation der thermischen Drift, der ...
Dualer N-Kanal 30-V (DS) MOSFET
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
20 V, einzelner P-Kanal-Trench-MOSFET P-Kanal-Anreicherungsmodus-Feldeffekttransistor (FET) in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.
- 20 V, N-Kanal-Trench-MOSFET N-Kanal-Feldeffekttransistor (FET) im Anreicherungsmodus in einem kleinen SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD)-Kunststoffgehäuse mit Trench-MOSFET-Technologie.