Datasheets - Einzelne IGBTs
Unterabschnitt: "Einzelne IGBTs"
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Alpha & Omega APT Diodes Dynex Fairchild Fuji Electric Genesic Semiconductor Infineon International Rectifier Intersil IXYS NTE Electronics ON Semiconductor Powerex Sanyo Semikron STMicroelectronics Toshiba VishaySuchergebnisse: 631 Ausgabe: 1-20
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- 650 V, 5 A Alpha IGBT mit sanfter und schneller Wiederherstellungs-Antiparalleldiode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. ...
- 650 V, 5 A Alpha IGBT mit sanfter und schneller Wiederherstellungs-Antiparalleldiode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. ...
- 650 V, 5 A Alpha IGBT mit sanfter und schneller Wiederherstellungs-Antiparalleldiode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. ...
- 650 V, 30 A Alpha IGBT mit sanfter und schneller Wiederherstellungs-Antiparalleldiode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. ...
- 1350 V, 20 A Alpha IGBT mit Diode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. Dank steuerbarer Einschalt-di/dt-Funktionen ...
- 650 V, 5 A Alpha IGBT mit sanfter und schneller Wiederherstellungs-Antiparalleldiode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. ...
- 600 V, 5 A Alpha IGBT mit Diode Die AlphaIGBT-Produktlinie bietet branchenführende schnelle Abschaltzeiten und niedrige VCE(SAT)-Leistung und ermöglicht so einen größeren Sicherheitsspielraum. Dank steuerbarer Einschalt-di/dt-Funktionen ermöglichen ...
- 360 V PDP Trench-IGBT Durch die Verwendung neuartiger Trench-IGBT-Technologie bietet die neue Trench-IGBT-Serie von ON Semiconductor optimale Leistung für Verbrauchergeräte und PDP-TV-Anwendungen, bei denen geringe Leitungs- und Schaltverluste ...
- 360 V PDP Trench-IGBT Durch die Verwendung neuartiger Trench-IGBT-Technologie bietet die neue Trench-IGBT-Serie von ON Semiconductor optimale Leistung für Verbrauchergeräte und PDP-TV-Anwendungen, bei denen geringe Leitungs- und Schaltverluste ...
- 360 V PDP Trench-IGBT Durch die Verwendung neuartiger Trench-IGBT-Technologie bietet die neue Trench-IGBT-Serie von ON Semiconductor optimale Leistung für Verbrauchergeräte und PDP-TV-Anwendungen, bei denen geringe Leitungs- und Schaltverluste ...
- Schneller IGBT
- 1200 V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in einem TO-247AC-Gehäuse
- 1200 V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in einem TO-247AC-Gehäuse
- 1200 V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in einem TO-247AC-Gehäuse
1200 V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in einem TO-247AC-Gehäuse- 1200 V UltraFast 5-40 kHz Copack IGBT in einem TO-247AC-Gehäuse
Copacked 1200V IGBT in einem TO-247AD-Gehäuse mit ultraschneller 5-40-kHz-Soft-Recovery-Diode.- Copacked 1200V IGBT in einem TO-247AD-Gehäuse mit ultraschneller 5-40-kHz-Soft-Recovery-Diode.
- Trench-Gate-Feldstopp IGBT, 650 V, 50 Eine weichschaltende IH-Serie in einem TO-247-Kabel mit langen Leitungen
- Graben-Gate-Feldstopp 650 V, 40 A, weichschaltender IGBT der IH-Serie in einem TO-247-Kabel mit langen Leitungen